本文關(guān)鍵詞：節(jié)瘤缺陷激光損傷的研究進展

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【摘要】：在近紅外反射類激光薄膜中,節(jié)瘤缺陷是引起薄膜激光損傷的主要因素。為了提高激光薄膜的損傷閾值,對節(jié)瘤缺陷及其損傷特性進行研究具有重要意義。從"真實"節(jié)瘤缺陷和"人工"節(jié)瘤缺陷兩個方面介紹節(jié)瘤缺陷的研究進展。基于"真實"節(jié)瘤缺陷的研究,建立了節(jié)瘤缺陷的結(jié)構(gòu)特征,形成了節(jié)瘤缺陷損傷特性和損傷機制的初步認識,利用時域有限差分法(FDTD)模擬了電場增強,初步解釋了節(jié)瘤缺陷的損傷機制,發(fā)明了抑制節(jié)瘤缺陷種子源的方法和激光預處理技術(shù),減少了節(jié)瘤缺陷,提高了薄膜損傷閾值。但是"真實"節(jié)瘤缺陷的性質(zhì),如種子源尺寸、吸收性以及位置深度等,都難以控制和預測,難以開展節(jié)瘤缺陷損傷特性的系統(tǒng)和量化研究,致使關(guān)于節(jié)瘤缺陷損傷的科學認識尚有不足。基于"人工"節(jié)瘤缺陷的研究,可以實現(xiàn)節(jié)瘤缺陷損傷特性的系統(tǒng)、量化甚至單一因素研究,極大地提高了實驗研究的效率和可靠性,獲得了一系列定量損傷規(guī)律。"人工"節(jié)瘤缺陷的高度受控性使實驗研究與理論模擬的可靠對比成為可能,"人工"節(jié)瘤缺陷的損傷形貌和FDTD電場模擬的直接比較實驗不僅驗證了時域有限差分法(FDTD)模擬電場的正確性,也進一步明確了電場增強是誘導節(jié)瘤缺陷損傷的主要機制。對節(jié)瘤缺陷的損傷機制有了更為深刻的認識后,人們開始調(diào)控節(jié)瘤缺陷的電場增強效應提高節(jié)瘤缺陷的損傷閾值,發(fā)展了寬角度反射薄膜技術(shù)和節(jié)瘤缺陷平坦化技術(shù),抑制電場增強,提高損傷閾值。這擴展了控制節(jié)瘤缺陷的思路和方法,從原來單一的去除節(jié)瘤缺陷到調(diào)控節(jié)瘤缺陷,為進一步提高薄膜的損傷閾值開辟了新的方向和途徑。
【作者單位】： 同濟大學先進微結(jié)構(gòu)材料教育部重點實驗室;同濟大學物理科學與工程學院精密光學工程技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 真實節(jié)瘤 人工節(jié)瘤 激光損傷 損傷機制 調(diào)控方法
【基金】：國家自然科學基金項目(61522506,51475335,61235011) 國家重大科研裝備研制項目(ZDYZ2013-2) 國家重大科學儀器設(shè)備開發(fā)專項(2014YQ090709)
【分類號】：TN249;TL632
【正文快照】： 2.同濟大學物理科學與工程學院,精密光學工程技術(shù)研究所,上海200092)慣性約束聚變(ICF)激光系統(tǒng),如美國的國家點火裝置(NIF),法國的巨型激光裝置Mégajoule以及我國的神光裝置等,在能源、高能物理等領(lǐng)域應用非常廣泛。在這些高功率激光系統(tǒng)中,高損傷閾值激光薄膜是整個系統(tǒng)的

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本文編號：836507