本文關(guān)鍵詞：2020年之后的電子學(xué):碳基電子學(xué)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)

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【摘要】：正硅基CMOS技術(shù)將在2020年達(dá)到其性能極限。國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)推薦碳基納電子學(xué)(包括碳納米管和石墨烯)作為可能在未來5~10年顯現(xiàn)商業(yè)價(jià)值的下一代電子技術(shù)。本文將對碳納米管電子學(xué)的優(yōu)勢進(jìn)行簡要的介紹,并著重對碳納米管電子學(xué)所面臨的主要挑戰(zhàn)及解決途徑進(jìn)行論述。集成電路芯片是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石�，F(xiàn)代電子芯片組成器件中約90%源于硅基互補(bǔ)金屬一氧化
【作者單位】： 北京大學(xué)電子學(xué)系 納米器件物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 電子學(xué) 碳納米管電子學(xué) 納米電子學(xué)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖 碳基集成電路 CMOS技術(shù)
【分類號】：TN432
【正文快照】： 硅基CMOS技術(shù)將在2020年達(dá)到其性能極限。國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)推薦碳基納電子學(xué)(包括碳納米管和石墨烯)作為可能在未來5~10年顯現(xiàn)商業(yè)價(jià)值的下一代電子技術(shù)。本文將對碳納米管電子學(xué)的優(yōu)勢進(jìn)行簡要的介紹,并著重對碳納米管電子學(xué)所面臨的主要挑戰(zhàn)及解決途徑進(jìn)行論述。

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 香山晉 ,佐藤耐 ,謝世健;超大規(guī)模集成電路(VLSI)中的CMOS技術(shù)[J];電子器件;1982年03期

2 ;X-FAB開發(fā)出0.35微米CMOS技術(shù)[J];電子工程師;2002年10期

3 ;X-FAB開發(fā)出0.35微米CMOS技術(shù)[J];電子科技文摘;2002年11期

4 曾勁;鄒雪城;雷擰銘;;一種基于低壓CMOS技術(shù)的高壓容限電源模塊設(shè)計(jì)[J];計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程;2007年02期

5 ;[J];;年期

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