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基片集成波導(dǎo)磁控器件研究及應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2017-09-11 15:40

  本文關(guān)鍵詞:基片集成波導(dǎo)磁控器件研究及應(yīng)用


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【摘要】:隨著通信技術(shù)發(fā)展,人們對(duì)數(shù)據(jù)的需求量越來越大,通信頻率也越來越高。為了更好地利用頻譜資源,智能無線電等很多技術(shù)被提出。這些新技術(shù)對(duì)電路的平面化、可重構(gòu)化提出了新的要求。本文首先結(jié)合現(xiàn)有電控器件技術(shù)介紹了基片集成波導(dǎo)磁控器件的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展現(xiàn)狀。隨后介紹了微波鐵氧體材料的一些基本理論,在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一款E面加載鐵氧體的基片集成波導(dǎo)隔離器,然后受H面加載鐵氧體隔離器啟發(fā),提出另一種新型表面加載鐵氧體的基片集成波導(dǎo)隔離器,這種隔離器克服了傳統(tǒng)H面加載的不足,更利于平面集成和加工裝配。同時(shí)設(shè)計(jì)了一種表面加載的基片集成波導(dǎo)開關(guān),給出了此類開關(guān)的設(shè)計(jì)方法,按照這種方法進(jìn)行了一個(gè)二級(jí)串聯(lián)鐵氧體開關(guān)的綜合,加工的開關(guān)取得了較寬的帶寬和較高的隔離度,相較于現(xiàn)有此種開關(guān)具有更好的性能。結(jié)合鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu),本文還設(shè)計(jì)了一種新的鐵氧體加載的基片集成波導(dǎo)可調(diào)帶通濾波器,給出了具體設(shè)計(jì)方法,以一個(gè)三階濾波器為例對(duì)可調(diào)濾波器的可行性進(jìn)行了驗(yàn)證。并且,利用雙模諧振腔上下邊帶不對(duì)稱的特點(diǎn),結(jié)合鐵氧體環(huán)形器設(shè)計(jì)了一種在間隔較近頻段具有高隔離度的環(huán)形雙工器。最后討論了基片集成波導(dǎo)鐵氧體器件的現(xiàn)實(shí)應(yīng)用,并結(jié)合所設(shè)計(jì)的鐵氧體環(huán)形雙工器指標(biāo),設(shè)計(jì)并加工了一個(gè)可用于微波中繼通信的收發(fā)前端,對(duì)電路部分做了測(cè)試,達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
【關(guān)鍵詞】:基片集成波導(dǎo) 鐵氧體 磁控器件 收發(fā)前端
【學(xué)位授予單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN627;TN713.5;TN631.2
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • ABSTRACT6-9
  • 第一章 緒論9-14
  • 1.1 研究背景與現(xiàn)狀9-12
  • 1.2 課題研究?jī)?nèi)容12
  • 1.3 論文結(jié)構(gòu)安排12-14
  • 第二章 鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)隔離器14-26
  • 2.1 微波鐵氧體理論14-18
  • 2.2 鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)隔離器18-25
  • 2.2.1 E面加載基片集成波導(dǎo)鐵氧體隔離器18-21
  • 2.2.2 H面加載基片集成波導(dǎo)鐵氧體隔離器21-22
  • 2.2.3 基片集成波導(dǎo)表面加載鐵氧體隔離器22-25
  • 2.3 本章小結(jié)25-26
  • 第三章 鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)開關(guān)26-33
  • 3.1 單鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)開關(guān)26-30
  • 3.2 鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)開關(guān)綜合30-32
  • 3.3 本章小結(jié)32-33
  • 第四章 鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)可調(diào)帶通濾波器33-43
  • 4.1 鐵氧體加載的基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)33-35
  • 4.2 鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)可調(diào)帶通濾波器的設(shè)計(jì)35-38
  • 4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析與討論38-42
  • 4.4 本章小結(jié)42-43
  • 第五章 鐵氧體加載基片集成波導(dǎo)環(huán)形雙工器43-53
  • 5.1 基片集成波導(dǎo)鐵氧體環(huán)形器43-44
  • 5.2 基片集成波導(dǎo)雙模濾波器44-48
  • 5.2.1 雙模圓形腔濾波器45-48
  • 5.3 基片集成波導(dǎo)雙工器測(cè)試與討論48-52
  • 5.4 本章小結(jié)52-53
  • 第六章 基片集成波導(dǎo)磁控器件的應(yīng)用53-66
  • 6.1 X波段平板前端具體指標(biāo)分配與架構(gòu)選擇54-57
  • 6.1.1 具體指標(biāo)分配54-55
  • 6.1.2 架構(gòu)介紹與選擇55-57
  • 6.2 設(shè)計(jì)與調(diào)試57-65
  • 6.2.1 本振模塊設(shè)計(jì)與調(diào)試57-61
  • 6.2.1.1 ADF4350的配置與調(diào)試58-60
  • 6.2.1.2 HMC765的配置與調(diào)試60-61
  • 6.2.2 自動(dòng)增益控制模塊的設(shè)計(jì)與調(diào)試61-62
  • 6.2.3 測(cè)試與討論62-65
  • 6.3 本章小結(jié)65-66
  • 第七章 總結(jié)66-67
  • 致謝67-68
  • 參考文獻(xiàn)68-71
  • 攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果71-72

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本文編號(hào):831594


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