本文關(guān)鍵詞：2～5GHz寬帶CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

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【摘要】：低噪聲放大器(LNA)是無線通信系統(tǒng)的重要組成部分。采用TSMC 0.18μm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝,設(shè)計(jì)了一款能夠滿足LTE和802.11 b/g/e等多種無線通信應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的2~5 GHz的寬帶CMOS LNA。為了實(shí)現(xiàn)寬帶輸入匹配與足夠大的寬帶功率增益,并在有限的功耗下獲得較低的噪聲系數(shù),設(shè)計(jì)的LNA使用了兩級(jí)電阻反饋、電流復(fù)用結(jié)構(gòu)和噪聲消除技術(shù)。后仿真結(jié)果表明,在1.5 V直流電源供電下,電路功耗僅9.03 m W,低噪聲放大器芯片核心面積僅為0.76 mm×0.81 mm,在2~5 GHz頻段內(nèi),噪聲系數(shù)為2.46~2.73 d B,功率增益大于16.7 d B,輸入輸出反射系數(shù)均低于-10 d B。因此,所設(shè)計(jì)的低噪聲放大器,性能優(yōu)良,適用于低噪聲、低功耗的寬帶無線通信產(chǎn)品。
【作者單位】： 廣西師范大學(xué)電子工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 低噪聲放大器(LNA) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS) 寬帶 噪聲抵消技術(shù) 版圖
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61361011)
【分類號(hào)】：TN722.3
【正文快照】： 0引言隨著無線通信技術(shù)和通信標(biāo)準(zhǔn)的快速發(fā)展,對(duì)無線通信系統(tǒng)的性能要求也越來越高。低噪聲放大器(low noise amplifier,LNA)是信號(hào)接收機(jī)中的一個(gè)關(guān)鍵模塊,主要功能是在一定的信噪比(SNR)要求下,把過濾之后的射頻信號(hào)進(jìn)行適當(dāng)放大,以供后續(xù)電路進(jìn)行處理。對(duì)LNA性能的要求包括

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本文編號(hào)：830170