本文關鍵詞：雙極性憶阻器模型參數(shù)對蘊含邏輯門的影響

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【摘要】：首先深入分析了具有閾值特性的雙極性憶阻器模型的閾值電壓和高低阻態(tài)開關特性,然后基于此模型設計了蘊含邏輯門電路,該設計有效解決了由線性漂移憶阻器模型構建的蘊含邏輯門電路存在的狀態(tài)漂移問題。最后分別研究了憶阻值變化快慢參數(shù)(β)、閾值電壓(V_t)和高低阻態(tài)阻值比率(a)對蘊含邏輯門電路運算速度和功率損耗的影響。理論分析和電路仿真表明,β增大或V_t和a減小,電路運算速度提高;β增大或a減小,電路功耗減少,V_t對電路功耗影響很小。研究成果為進一步設計運算速度更快、功耗更低的全加器和多路器等邏輯電路提供理論依據(jù)。
【作者單位】： 空軍工程大學理學院;
【關鍵詞】： 閾值 憶阻器模型 蘊含邏輯門 狀態(tài)漂移 運算速度 功率損耗
【基金】：國家自然科學基金青年科學基金資助項目(61401498) 陜西省自然科學基金資助項目(2014JQ8343)
【分類號】：TN791
【正文快照】： 0引言1971年,L.O.Chua教授[1]根據(jù)電路理論的完備性,首次提出憶阻器的概念,并將其定義為磁通與電荷之比。憶阻器是繼電阻、電容和電感之后的一種新型非線性電路元件,具有許多突出的優(yōu)點[2-4]:納米級特征尺寸、非易失性、能耗低、工作速度快、高低阻態(tài)開關特性以及與CMOS工藝兼

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本文編號：827226