本文關(guān)鍵詞：四步法制備高質(zhì)量硅基砷化鎵薄膜（英文）

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【摘要】：為了提高在硅基上外延砷化鎵薄膜的質(zhì)量和實(shí)驗(yàn)的可重復(fù)性,我們提出了一種叫做四步生長(zhǎng)法的新方法,該方法是通過在低溫成核層和高溫外延層中間先后插入低溫緩沖層和高溫緩沖層實(shí)現(xiàn)的。通過此方法,可以制備出表面具有單疇結(jié)構(gòu)、在強(qiáng)白光下依然光亮如鏡、粗糙度低且缺陷少的高質(zhì)量砷化鎵薄膜,而且此方法的重復(fù)性很好。即便沒有任何生長(zhǎng)后的退火處理,外延出的1μm厚砷化鎵薄膜在5μm×5μm掃描區(qū)域內(nèi)的表面粗糙度只有2.1 nm,且由X射線雙晶衍射測(cè)試出的砷化鎵(004)峰的半高寬只有210.6 arcsec。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 硅基砷化鎵 四步生長(zhǎng)法 緩沖層 分子束外延
【基金】：National Basic Research Program of China(2013CB632104)
【分類號(hào)】：TN304.23
【正文快照】： Compared with GaA s substrates,Si substrates have such advantages as larger size,lower cost,better mechanical strength,and higher thermal conductivity.In addition,due to the potential integration of well-developed Si integrated circuit technology with Ga

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中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 劉廣榮;;大慶佳昌成功拉制出國(guó)內(nèi)第一根直徑200mm砷化鎵單晶[J];半導(dǎo)體信息;2006年03期

2 沈熙磊;;美國(guó)制出電子態(tài)超純砷化鎵[J];半導(dǎo)體信息;2011年05期

3 沈仁s，

本文編號(hào)：811650