本文關(guān)鍵詞：高壓IGBT串聯(lián)均壓控制電路閾值電壓設(shè)計方法

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【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件具有耐壓高、開關(guān)速度快、易驅(qū)動等優(yōu)點(diǎn),在電力電子變換器中應(yīng)用廣泛。然而目前單個IGBT器件的電壓等級與容量不能滿足大容量變換器的需求。應(yīng)用高壓IGBT串聯(lián)技術(shù)是提升電力電子變換器電壓等級與容量的一種有效方法。高壓IGBT串聯(lián)技術(shù)的關(guān)鍵問題是保證瞬態(tài)過程中的電壓均衡。門極均壓控制電路可以有效抑制串聯(lián)IGBT的瞬態(tài)電壓不均衡。該文介紹了一種門極均壓控制電路的工作原理,綜合考慮開關(guān)瞬態(tài)過程中換流回路雜散參數(shù)與續(xù)流二極管正向恢復(fù)特性的影響,提出了該電路的關(guān)鍵參數(shù)閾值電壓的設(shè)計方法,可應(yīng)用于多電平、多管串聯(lián)的電力電子變換器系統(tǒng)中,并通過實(shí)驗(yàn)對該設(shè)計方法的實(shí)用性進(jìn)行了驗(yàn)證。
【作者單位】： 電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備控制和仿真國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(清華大學(xué)電機(jī)系);
【關(guān)鍵詞】： 均壓控制電路 高壓IGBT 串聯(lián) 閾值電壓 電壓平衡
【分類號】：TM46;TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolartransistor,IGBT)結(jié)合了功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductor field effecttransistor,MOSFET)和雙極型功率晶體管(bipolarjunction transistor,BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有額定電壓高、開關(guān)速度快、驅(qū)動簡易等優(yōu)

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 袁壽財;輻照對IGBT特性的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);1997年04期

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本文編號：811016