柔性襯底上制備氟、鎵共摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜及其光電性質(zhì)研究
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【摘要】:采用脈沖激光沉積技術(shù)在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)襯底上制備了Ga、F共摻雜的Zn O透明導(dǎo)電薄膜。采用X射線衍射儀、紫外-可見分光光度計(jì)、原子力顯微鏡和霍爾測試儀等手段對薄膜性能進(jìn)行了表征。制備過程中通過控制沉積時(shí)間、Ga摻雜量、襯底溫度和氧氣流量等實(shí)驗(yàn)條件,比對研究了各參數(shù)對薄膜性能的影響。為了分析各參數(shù)對實(shí)驗(yàn)結(jié)果影響的重要性,采用正交實(shí)驗(yàn)法設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),并對結(jié)果進(jìn)行正交分析、極差方差分析。得出了各個(gè)實(shí)驗(yàn)條件對結(jié)果影響的大小順序和最優(yōu)的制備條件。結(jié)果表明,摻雜量和沉積時(shí)間對于薄膜的光電性能影響較大,Ga摻雜量取1.0%(原子比),且沉積時(shí)間較短的薄膜透光率較好;Ga摻雜量取1.0%,且沉積時(shí)間較長的薄膜導(dǎo)電性能較好。
【作者單位】: 復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系;
【關(guān)鍵詞】: 透明導(dǎo)電薄膜 Ga、F共摻雜ZnO PET柔性襯底 正交實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
【分類號(hào)】:TN304.2
【正文快照】: 透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其復(fù)合多元氧化物薄膜材料,具有禁帶寬、可見光區(qū)透射率高和電阻率低等光電特性,廣泛地應(yīng)用于太陽能電池、平面顯示、特殊功能窗口涂層及其他光電器件領(lǐng)域。近年來Zn O薄膜的研究備受關(guān)注,通過摻雜元素和控制生長條件
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3 吳正華;;微通道板示波管帶狀邊框透明導(dǎo)電薄膜的研制[J];光電子學(xué)技術(shù);1989年01期
4 蔣正萍;不摻雜In_2O_3透明導(dǎo)電薄膜的制作[J];微電子學(xué);2000年04期
5 周之斌,崔容強(qiáng),黃燕,孫鐵囤,陳東;超聲霧化噴涂工藝及優(yōu)質(zhì)二氧化錫透明導(dǎo)電薄膜的研究[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2000年02期
6 ;柔性透明導(dǎo)電薄膜(ITO)簡介[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2001年01期
7 孟揚(yáng),楊錫良,陳華仙,沈杰,蔣益明,章壯健;高價(jià)態(tài)差摻雜氧化物透明導(dǎo)電薄膜的研究[J];光電子技術(shù);2001年01期
8 劉漢法;張化福;袁玉珍;袁長坤;;直流磁控濺射法制備摻鈦氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜[J];材料導(dǎo)報(bào);2009年22期
9 ;柔性透明導(dǎo)電薄膜(ITO)簡介[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2000年03期
10 孟揚(yáng),楊錫良,陳華仙,沈杰,蔣益明,章壯健,華中一;臭氧在熱反應(yīng)蒸發(fā)法低溫制備透明導(dǎo)電薄膜IMO中的作用[J];真空科學(xué)與技術(shù);2001年04期
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1 孟凡英;胡宇;余躍波;;氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜生長及其光電特性研究[A];第十屆中國太陽能光伏會(huì)議論文集:迎接光伏發(fā)電新時(shí)代[C];2008年
2 王鋼;范冰豐;楊景川;胡銳欽;童存聲;吳志盛;裴艷麗;江灝;;ZnO基透明導(dǎo)電薄膜材料在LED中的應(yīng)用研究[A];2013廣東材料發(fā)展論壇——戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展與新材料科技創(chuàng)新研討會(huì)論文摘要集[C];2013年
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1 姜玲霞;ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的濕化學(xué)制備[D];江蘇大學(xué);2016年
2 周霞輝;激光制備鈮摻雜二氧化鈦基透明導(dǎo)電薄膜[D];華中科技大學(xué);2011年
3 王穎華;p型透明導(dǎo)電薄膜及其二極管的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2008年
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5 黃偉霞;Mg_xZn_(1-x)O透明導(dǎo)電薄膜的制備及性能研究[D];浙江大學(xué);2006年
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10 張仕凱;D/M/D結(jié)構(gòu)的ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的制備及特性研究[D];吉林大學(xué);2013年
,本文編號(hào):810358
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