本文關(guān)鍵詞：磷鍺鋅晶體生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

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【摘要】：磷鍺鋅(ZnGeP_2)單晶體是一種性能優(yōu)異的紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體材料,被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)的光學(xué)器件。研究ZnGeP_2晶體的生長(zhǎng)方法,對(duì)低成本制備大體積、高質(zhì)量的ZnGeP_2晶體具有重要意義。介紹了ZnGeP_2晶體的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用領(lǐng)域,給出了ZnGeP_2多晶合成與單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究發(fā)展的最新動(dòng)態(tài),并基于晶體生長(zhǎng)原理以及生長(zhǎng)條件控制方法的差異,綜述了水平溫度梯度冷凝(HGF)法、液封提拉(LEC)法、高壓氣相(HPVT)法和垂直布里奇曼(VB)法4種主要的ZnGeP_2單晶體生長(zhǎng)方法的優(yōu)缺點(diǎn);重點(diǎn)闡述了較成熟的HGF和VB法生長(zhǎng)ZnGeP_2晶體的影響因素和研究進(jìn)展,提出了ZnGeP_2單晶制備技術(shù)存在的主要問(wèn)題和今后的發(fā)展方向。
【作者單位】： 中國(guó)民用航空飛行學(xué)院;四川大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 磷鍺鋅(ZGP)單晶體 多晶合成 單晶生長(zhǎng) 水平溫度梯度冷凝(HGF)法 垂直布里奇曼(VB)法
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(50732005) 四川省科技廳基金資助項(xiàng)目(2015ZR0034) 民航局科技創(chuàng)新引導(dǎo)資金資助項(xiàng)目(20150212) 中國(guó)民用航空飛行學(xué)院科研基金資助項(xiàng)目(J2014-92,Q2012-126)
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.054
【正文快照】： 垂直布里奇曼(VB)法0引言Zn Ge P2(ZGP)是一種三元系化合物半導(dǎo)體材料,II-IV-V2黃銅礦結(jié)構(gòu),四方晶系,屬42 m點(diǎn)群,黑灰色晶體,晶格常數(shù)a=b=0.546 5 nm,c=1.071 1 nm,α=β=γ=90°,密度4.162 g/cm3,熔點(diǎn)1 027℃[1-2]。該類(lèi)型的黃銅礦結(jié)構(gòu)是一種由一個(gè)II族原子和一個(gè)IV族原子取

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本文編號(hào)：806122