本文關(guān)鍵詞：濕法刻蝕FI CD均一性的影響因素及提高刻蝕均一性的研究

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【摘要】：隨著高分辨率產(chǎn)品導(dǎo)入,TFT-LCD陣列段各項(xiàng)參數(shù)范圍越來越小,工藝要求更為嚴(yán)格,為了更好地管控濕法刻蝕各項(xiàng)參數(shù),本文以濕法刻蝕FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影響因素及如何提高FI CD均一性為目的進(jìn)行研究。首先,通過對濕法刻蝕設(shè)備參數(shù)(主要包括刻蝕液溫度、流量、壓力、濃度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蝕時(shí)間等)進(jìn)行試驗(yàn),驗(yàn)證各項(xiàng)參數(shù)對FI CD均一性的影響。其次,對沉積工序、曝光工序以及產(chǎn)品設(shè)計(jì)等進(jìn)行試驗(yàn),獲悉影響因素并進(jìn)行改善。通過對濕法刻蝕設(shè)備自身參數(shù)的調(diào)整,如減少設(shè)備溫度、流量、壓力波動,使參數(shù)保持相對穩(wěn)定狀態(tài),可有效改善濕法刻蝕FI CD均一性,FI CD的均一性可從1.0降低至0.5。通過對濕法刻蝕設(shè)備參數(shù)進(jìn)行試驗(yàn)并做相應(yīng)調(diào)整,濕法刻蝕FI CD均一性改善效果顯著。
【作者單位】： 北京京東方光電科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： TFT-LCD 濕法刻蝕 FI CD 均一性
【分類號】：TN305.7;TN873.93
【正文快照】： (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co.,Ltd,Beijing100176,China)1引言在TFT-LCD陣列制作工藝中,濕法刻蝕工藝因所使用的刻蝕液價(jià)格低廉,各向同性等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用。目前,在TFT-LCD行業(yè)中,濕法刻蝕主要使用的刻蝕液有AL刻蝕液和ITO刻蝕液�？涛g液的作用是將適當(dāng)濃度的

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