發(fā)布時(shí)間：2017-09-06 13:11

  本文關(guān)鍵詞：GaN基材料和器件的質(zhì)子輻照效應(yīng)

  更多相關(guān)文章： AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu) 質(zhì)子輻照 材料表征 受主缺陷 去載流子效應(yīng)

【摘要】：由于綜合性能優(yōu)勢(shì),GaN基功率器件更適合于衛(wèi)星電子系統(tǒng)等空間設(shè)備中射頻功率放大模塊的發(fā)展需求。因此,GaN基器件及材料的輻照效應(yīng)研究顯得尤為重要。通過(guò)對(duì)GaN基材料和器件進(jìn)行質(zhì)子輻照研究,可以發(fā)現(xiàn),低注量輻照增加了GaN材料的載流子濃度和遷移率,降低了材料的串聯(lián)電阻。此外,輻照增加了GaN的張應(yīng)力,引起了材料表面形貌惡化,而對(duì)位錯(cuò)密度影響甚小。對(duì)于GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)器件,輻照發(fā)生在較高注量下,器件參數(shù)才發(fā)生較為明顯的退化,而且閾值電壓變化最為顯著,分析認(rèn)為,高注量輻照時(shí),輻照感生受主缺陷造成的二維電子氣(2DEG)濃度降低是上述器件退化的主要原因。
【作者單位】： 長(zhǎng)安大學(xué)電子與控制工程學(xué)院;西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu) 質(zhì)子輻照 材料表征 受主缺陷 去載流子效應(yīng)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61504011) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(310832161002) 陜西省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2014JQ8344;2015JM6357) 大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練資助項(xiàng)目(201510710037)
【分類號(hào)】：TN386;TN304.2
【正文快照】： 0引言衛(wèi)星導(dǎo)航及通信系統(tǒng)已經(jīng)在全球得到廣泛的應(yīng)用,Al Ga N/Ga N微波大功率器件作為衛(wèi)星導(dǎo)航及通信系統(tǒng)中高頻功放模塊的核心部件,其安全穩(wěn)定的運(yùn)行對(duì)其系統(tǒng)具有舉足輕重的作用[1-2]。因此,隨著高性能Ga N基器件在衛(wèi)星電子系統(tǒng)等空間環(huán)境中的應(yīng)用,其空間輻照效應(yīng)的研究日漸重

【相似文獻(xiàn)】

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中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

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本文編號(hào)：803312