本文關(guān)鍵詞：基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理制備二硫化鉬光電探測(cè)器（英文）

  更多相關(guān)文章： 二硫化鉬 光電探測(cè)器 場(chǎng)效應(yīng)晶體管

【摘要】：過渡金屬二硫?qū)倩镌陔妼W(xué)、光學(xué)和機(jī)械電子領(lǐng)域展示了強(qiáng)大的應(yīng)用潛力和價(jià)值.其中,二硫化鉬作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管中絕緣柵極材料和溝道材料,得到了越來越多的關(guān)注.本文研究了基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理制備而成的多層二硫化鉬光電探測(cè)器.通過光學(xué)顯微鏡和原子力顯微鏡表征了該器件的表面形貌,同時(shí)研究了該器件基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電學(xué)特性和作為光電探測(cè)器的光電特性.該器件中,二硫化鉬的電子遷移率達(dá)到了80 cm2/(V·s),最高探測(cè)光電響應(yīng)為5 A/W.該光電探測(cè)器的探測(cè)波長(zhǎng)極廣,并且在所有測(cè)試過程中器件穩(wěn)定性優(yōu)良.
【作者單位】： 精密測(cè)試技術(shù)及儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(天津大學(xué));天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 二硫化鉬 光電探測(cè)器 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
【分類號(hào)】：TN386;TN36
【正文快照】： Following the advances in basic science and applica-tions of graphene,other two-dimensional materials,espe-cially the transition-metal dichalcogenides(TMDCs),have generated substantial interest for their intriguingelectrical,optical and mechanical proper

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