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Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究

發(fā)布時間:2017-09-04 06:06

  本文關(guān)鍵詞:Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究


  更多相關(guān)文章: Low-k介質(zhì)硅晶圓 切割 崩裂 可靠性 工藝參數(shù)


【摘要】:輕薄短小成為半導(dǎo)體發(fā)展的趨勢,而硅晶圓的切割劃片技術(shù)是集成電路封裝小型化的關(guān)鍵基礎(chǔ)工藝技術(shù)。隨著薄型化及Low-k(低介電常數(shù))介質(zhì)硅晶圓的出現(xiàn),由于材料其本身的特性,傳統(tǒng)機械切割(刀片切割)方式加工過程中經(jīng)常出現(xiàn)芯片崩裂,會造成可靠性失效的嚴重后果,所以通常需要通過工藝參數(shù)的優(yōu)化以及引入激光切割工藝來改善Low-k介質(zhì)硅晶圓切割中產(chǎn)生的崩裂現(xiàn)象。本文在切割工藝分析、失效機制研究的基礎(chǔ)上,重點研究改善Low-k介質(zhì)硅晶圓因切割崩裂而導(dǎo)致的可靠性失效問題。本論文包含以下幾個研究內(nèi)容:(1)硅晶圓切割工藝原理的研究從研究機械切割的工藝原理入手,結(jié)合研究Low-k介質(zhì)硅晶圓材料的特點指出機械切割針對Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝限制,從而引入激光切割,進一步對其工藝原理以及工藝參數(shù)進行研究。(2)切割崩裂失效現(xiàn)象及改善的研究切割中的常見同時也是最嚴重的異常就是切割崩裂,從失效現(xiàn)象及失效機理的研究找出影響崩裂的主要因素并進行改善。(3)Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝優(yōu)化為了解決Low-k介質(zhì)硅晶圓切割產(chǎn)生的崩裂,同時控制其他相應(yīng)問題的產(chǎn)生,通過分別對主要參數(shù)的優(yōu)化驗證,找到最佳工藝生產(chǎn)條件。本文在切割工藝分析、失效機制研究的基礎(chǔ)上,找出了影響Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂的主要原因。在此基礎(chǔ)上有針對性的進行優(yōu)化實驗,確定了合適的工藝條件和范圍,解決了Low-k介質(zhì)硅晶圓的崩裂問題,達到了達到了確保切割品質(zhì)與可靠性的目的。
【關(guān)鍵詞】:Low-k介質(zhì)硅晶圓 切割 崩裂 可靠性 工藝參數(shù)
【學(xué)位授予單位】:蘇州大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN305.1
【目錄】:
  • 中文摘要4-6
  • ABSTRACT6-10
  • 第一章 緒論10-14
  • 1.1 研究背景與意義10-11
  • 1.2 本課題的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀11-13
  • 1.3 本課題的意義和主要研究內(nèi)容13-14
  • 第二章 硅晶圓切割工藝原理14-31
  • 2.1 引言14-15
  • 2.2 機械切割15-18
  • 2.2.1 機械切割工藝原理15-17
  • 2.2.2 機械切割工藝主要參數(shù)17-18
  • 2.3 Low-k介質(zhì)硅晶圓材料的特點18-23
  • 2.4 激光切割的引入23-30
  • 2.4.1 激光切割工藝原理23-28
  • 2.4.2 激光切割工藝主要參數(shù)28-30
  • 2.5 本章小結(jié)30-31
  • 第三章 切割失效現(xiàn)象及改善的研究31-50
  • 3.1 引言31
  • 3.2 切割中的常見異常31-36
  • 3.2.1 機械切割中的常見異常31-32
  • 3.2.2 激光切割中的常見異常32-33
  • 3.2.3 切割品質(zhì)基本控制要求33-35
  • 3.2.4 本次實驗產(chǎn)品及可靠性條件35-36
  • 3.3 失效分析36-39
  • 3.3.1 紅外線(IR)顯微鏡36-37
  • 3.3.2 化學(xué)藥水開蓋分析37-38
  • 3.3.3 光學(xué)&電子顯微鏡分析38-39
  • 3.4 切割崩裂的改善39-49
  • 3.4.1 刀片的選擇對切割崩裂的影響39-42
  • 3.4.2 機械切割工藝參數(shù)對崩裂的改善42-45
  • 3.4.3 激光切割工藝參數(shù)對崩裂的改善45-49
  • 3.5 本章小結(jié)49-50
  • 第四章 工藝參數(shù)優(yōu)化與結(jié)果分析驗證50-62
  • 4.1 引言50
  • 4.2 工藝參數(shù)的優(yōu)化50-58
  • 4.2.1 參數(shù)范圍及實驗結(jié)果判定條件50-52
  • 4.2.2 實驗組合及初步結(jié)果52-58
  • 4.3 參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果及量產(chǎn)轉(zhuǎn)化成果58-61
  • 4.3.1 參數(shù)優(yōu)化的第二階段結(jié)果確認58-60
  • 4.3.2 量產(chǎn)成果轉(zhuǎn)化60-61
  • 4.4 本章小結(jié)61-62
  • 第五章 總結(jié)與展望62-64
  • 5.1 全文總結(jié)62-63
  • 5.2 展望63-64
  • 參考文獻64-67
  • 致謝67-68

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 劉定斌;胡超先;張燕;;晶圓切割崩裂的成因和預(yù)防措施探討[J];中國集成電路;2013年06期

2 楊惠琳;;激光隱形切割技術(shù)在智能卡領(lǐng)域晶圓切割上的量產(chǎn)應(yīng)用[J];中國集成電路;2013年03期

3 龐零;;硅芯片封裝中改善芯片崩裂的劃片工藝[J];蘇州市職業(yè)大學(xué)學(xué)報;2011年01期

4 姜健;張政林;;超薄圓片劃片工藝探討[J];中國集成電路;2009年08期

5 楊偉;彭信翰;張駿;;紫外激光切割晶圓的工藝研究[J];電子工藝技術(shù);2009年01期

6 阮剛,肖夏,朱兆;低介電常數(shù)(lowk)介質(zhì)在ULSI中的應(yīng)用前景[J];電子學(xué)報;2000年11期

7 趙奕,周明,董申,李旦;脆性材料塑性域超精密加工的研究現(xiàn)狀[J];高技術(shù)通訊;1999年04期

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 陳濤;激光切割工件質(zhì)量控制及參數(shù)優(yōu)化研究[D];沈陽工業(yè)大學(xué);2014年

2 陸雄;晶圓切割參數(shù)對低K介電層可靠性的影響[D];復(fù)旦大學(xué);2013年

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本文編號:789758

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