本文關(guān)鍵詞：新型摻碳二氧化硅-薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)及其仿真驗證

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【摘要】：一定厚度的低聲阻抗支撐層可以在薄膜體聲波諧振器(FBAR)與襯底之間形成聲學(xué)隔離層,防止聲波泄漏到襯底當(dāng)中。摻碳二氧化硅(CDO)是一種低聲阻抗材料,對FBAR具有較好的溫度補(bǔ)償效果,可以作為FBAR與襯底之間的聲學(xué)隔離層,從而構(gòu)成一種新型的CDO-FBAR。為了分析CDO-FBAR與通孔型FBAR相比性能是否退化,以及CDO聲學(xué)隔離層所需厚度,采用多物理場耦合仿真軟件分析了CDO-FBAR和通孔型FBAR的諧振頻率、Q值、有效機(jī)電耦合系數(shù)和S參數(shù),并提取了CDO-FBAR縱向振動位移。分析結(jié)果表明:CDO-FBAR的諧振頻率整體向下漂移;CDO聲學(xué)隔離層導(dǎo)致S參數(shù)的寄生干擾;由于聲學(xué)損耗增加,Q值略有降低,其中并聯(lián)諧振點處的Q值降幅更大;有效機(jī)電耦合系數(shù)略有降低;聲波傳播到聲學(xué)隔離層中9μm處就完全衰減,即只需要9μm厚的CDO聲學(xué)隔離層就能在FBAR與襯底之間形成有效的聲學(xué)隔離。由此,仿真驗證了這種新穎的CDO-FBAR結(jié)構(gòu)的可行性。
【作者單位】： 西南科技大學(xué)信息工程學(xué)院;中國科學(xué)院高能物理研究所核探測與核電子學(xué)國家重點實驗室;中國工程物理研究院電子工程研究所;
【關(guān)鍵詞】： 聲阻抗 摻碳二氧化硅 薄膜體聲波諧振器 聲學(xué)隔離層
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61574131) 中國工程物理研究院超精密加工技術(shù)重點實驗室基金項目(2014ZA001);中國工程物理研究院電子工程研究所創(chuàng)新基金項目(S20141203) 核探測與核電子學(xué)國家重點實驗室開放課題基金項目(2016KF02) 西南科技大學(xué)特殊環(huán)境機(jī)器人技術(shù)四川省重點實驗室開放基金項目(14zxtk01);西南科技大學(xué)研究生創(chuàng)新基金項目(15ycx122,15ycx123,15ycx125)
【分類號】：TN65
【正文快照】： 3.中國科學(xué)院高能物理研究所,核探測與核電子學(xué)國家重點實驗室,北京100049)薄膜體聲波諧振器(FBAR)是一種高Q值、高工作頻率、小體積的新型電聲諧振器,在移動通信領(lǐng)域扮演著重要的角色1〗,并且以其高靈敏度等優(yōu)點逐漸延伸到傳感器研究領(lǐng)域2〗。常見的FBAR結(jié)構(gòu)主要有三種:通孔

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1 吳祿訓(xùn) ,邵振亞 ,韓繼鴻;GaAs質(zhì)子注入及其在微波器件中的應(yīng)用[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1983年04期

2 ;[J];;年期

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本文編號：786033