本文關(guān)鍵詞：用于各向同性濕法刻蝕中的氮化硅掩膜

  更多相關(guān)文章： 各向同性刻蝕 掩膜 氮化硅 刻蝕速率

【摘要】：在硅的各向同性濕法刻蝕過程中,一般選用HNA溶液(即氫氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作為刻蝕液,而氮化硅以其很好的耐刻蝕性而優(yōu)先被選為頂層掩膜材料。在硅片上刻蝕不同的結(jié)構(gòu),通常需要選擇不同的刻蝕液配比。而不同配比對于氮化硅掩膜的刻蝕速率也不一樣。分別用PECVD和LPCVD兩種方法在〈111〉型硅片上沉積了厚度為560和210nm的氮化硅薄膜,研究和對比了它們在8種典型配比刻蝕液下的刻蝕速率,為合理制作所需要厚度的氮化硅掩膜提供有益參考。
【作者單位】： 上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院微米/納米加工技術(shù)國家級重點實驗室薄膜與微細技術(shù)教育部重點實驗室上海市北斗導(dǎo)航與位置服務(wù)重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 各向同性刻蝕 掩膜 氮化硅 刻蝕速率
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61574093) 航空基金項目(2013ZC57003) 教育部新世紀優(yōu)秀人才計劃項目(NCET-10-0583)
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 0引言在硅片上刻蝕三維立體結(jié)構(gòu)的工藝已經(jīng)越來越成熟,濕法刻蝕因其低成本而應(yīng)用的尤其廣泛[1-3]。對于一些各向同性刻蝕的結(jié)構(gòu),比如半球式凹槽[4-5]、高深寬比的微針[6]等,一般需要在HNA溶液(即氫氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)中進行刻蝕[7]。基于HNA溶液具有極強的腐蝕特性,

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 張迎新;;氮化硅與鋁陽極氧化相結(jié)合用于半導(dǎo)體器件鈍化[J];微電子學(xué);1973年01期

2 T.Y.Chin,WG.O.ldham,C.Hovland,李志晨;低能離子注入氮化硅的材料特性[J];微電子學(xué);1986年01期

3 余根海;氮化硅微型芯片電容[J];半導(dǎo)體技術(shù);1987年03期

4 肖方;汪輝;羅仕洲;;氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻率[J];半導(dǎo)體技術(shù);2007年10期

5 王錦萍;;φ50硅片生產(chǎn)線通過驗收[J];集成電路應(yīng)用;1985年04期

6 欒松巖;張國生;侯方林;梁唯紅;秦汝虎;崔正國;姜春生;;激光驅(qū)動氣相合成氮化硅超細粉[J];光電子.激光;1988年02期

7 高洪生;王真真;解意洋;耿照新;闞強;王春霞;袁浚;陳弘達;;金納米顆粒增強富硅氮化硅發(fā)光特性的研究[J];光電子.激光;2014年07期

8 ;簡訊[J];半導(dǎo)體情報;1974年05期

9 葉騰豪;;控制閘極蝕刻,垂直比較好![J];電子與電腦;2010年07期

10 王宏杰;;高應(yīng)力氮化硅:應(yīng)用與展望[J];集成電路應(yīng)用;2008年Z1期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 陳榮保;張崇巍;張曉江;董學(xué)平;;激光制備納米級氮化硅粉末工程的綜合控制[A];1998年中國控制會議論文集[C];1998年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 方俊峰;氮化硅在集成電路銅互連中的應(yīng)用研究和改善[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

2 林敏偉;氮化硅工藝表面顆粒污染的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

，

本文編號：780758