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新型有機小分子場效應晶體管的合成及性能研究

發(fā)布時間:2017-09-02 15:31

  本文關鍵詞:新型有機小分子場效應晶體管的合成及性能研究


  更多相關文章: 有機場效應晶體管 有機半導體 遷移率 二維構型


【摘要】:有機場效應晶體管(OFETs)可廣泛應用于傳感器、電子紙、射頻識別標簽等,因而獲得了學術界和工業(yè)界的極大關注。其中有機半導體材料由于具有成本低、易于裁剪、加工方法多樣、可大面積制作以及可柔性化等優(yōu)點而取得了快速的發(fā)展。然而,n-型有機半導體材料的緩慢發(fā)展限制了有機場效應晶體管的應用。為了發(fā)展n-型及雙極性有機半導體材料,我們通過引入吸電子基團改變化合物能級以及利用二維構型等,設計、合成一系列新型化合物,以獲得高性能的n-型,甚至雙極性的有機場效應晶體管,并進一步探究分子結構與性能的關系。通過光譜、電化學、熱分析等表征手段,對其光學、電學和熱力學等物理性質(zhì)進行了研究;通過薄膜器件對其半導體電學性能進行了研究,具體內(nèi)容包括下面幾個部分:1、設計、合成了一系列以苯并二噻吩(BDT)為中心的十字型化合物。電化學和紫外光譜測試都表明該系列化合物具有較高的氧化穩(wěn)定性。熱失重分析(TGA)結果表明該系列化合物具有較高的熱穩(wěn)定性。利用真空蒸鍍法制備了基于這一系列十字型有機半導體材料的薄膜場效應晶體管器件,并在不同的基底溫度下制備和測試了遷移率和開關比等電學性能,探究了不同修飾基團的引入對其性能的影響。2、設計、合成了一種以帶烷基鏈的萘酰亞胺為中心的二維稠環(huán)化合物,并利用紫外光譜和電化學測試了其光物理以及電化學性能。HOMO和LUMO能級及帶隙結果表明該物質(zhì)是一種潛在的雙極性有機半導體材料。
【關鍵詞】:有機場效應晶體管 有機半導體 遷移率 二維構型
【學位授予單位】:杭州師范大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN386
【目錄】:
  • 致謝4-5
  • 摘要5-6
  • Abstract6-9
  • 第一章 緒論9-57
  • 1.1 引言9
  • 1.2 有機場效應晶體管的器件結構,工作原理和性能指標9-13
  • 1.2.1 有機場效應晶體管的結構和工作原理9-11
  • 1.2.2 有機場效應晶體管(OFETs)的性能指標11
  • 1.2.3 影響OFETs的性能因素11-13
  • 1.3 有機半導體材料13-36
  • 1.3.1 p-型半導體材料14-23
  • 1.3.1.1 并苯類p-型半導體材料14-18
  • 1.3.1.2 含氮的p-型小分子半導體材料18
  • 1.3.1.3 噻吩類p-型半導體材料18-23
  • 1.3.2 n-型有機半導體材料23-32
  • 1.3.2.1 含有鹵素原子的n-型有機半導體材料小分子24-25
  • 1.3.2.2 含氰基的n-型有機半導材料25-27
  • 1.3.2.3 含羰基的n-型小分子材料27-29
  • 1.3.2.4 含酰亞胺基團的n-型小分子化合物29-32
  • 1.3.3 雙極性有機半導體材料32-36
  • 1.3.3.1 p-型材料和n-型材料共混32-33
  • 1.3.3.2 具有D-A結構的雙極性半導體材料33-34
  • 1.3.3.3 通過化學修飾將單極性材料轉變?yōu)殡p極性材料34-36
  • 1.4 有機場效應晶體管器件的制備36-39
  • 1.5 有機場效應晶體的應用39-41
  • 1.6 存在的問題與發(fā)展趨勢41
  • 1.7 論文選題的依據(jù)41-43
  • 參考文獻43-57
  • 第二章 十字型化合物有機半導體材料的設計、合成與性能研究57-83
  • 2.1 引言57-59
  • 2.2 實驗部分59-66
  • 2.2.1 儀器、方法與試劑59-61
  • 2.2.1.1 儀器與測試方法59
  • 2.2.1.2 試劑59-61
  • 2.2.2 合成與表征61-66
  • 2.3 結果與討論66-78
  • 2.3.1 材料的合成與表征66-70
  • 2.3.2 材料的光物理性質(zhì)70-71
  • 2.3.3 材料的熱穩(wěn)定性71-72
  • 2.3.4 材料的電化學性能72-73
  • 2.3.5 材料的理論計算73-75
  • 2.3.6 薄膜場效應晶體管性能75-76
  • 2.3.7 化合物A1-A5的薄膜晶態(tài)(XRD)表征76-77
  • 2.3.8 化合物A3-A5的薄膜形貌(AFM)表征77-78
  • 2.4 本章小結78-79
  • 參考文獻79-83
  • 第三章 萘酰亞胺類二維有機半導體材料的合成及性能研究83-95
  • 3.1 引言83-84
  • 3.2 實驗部分84-87
  • 3.2.1 儀器、方法與試劑84-86
  • 3.2.1.1 儀器與方法84-85
  • 3.2.1.2 試劑85-86
  • 3.2.2 合成與表征86-87
  • 3.3 結果與討論87-92
  • 3.3.1 材料的合成與表征87-90
  • 3.3.2 材料的光物理性質(zhì)90-91
  • 3.3.3 材料的理論計算91
  • 3.3.4 材料的電化學性質(zhì)91
  • 3.3.5 薄膜場效應晶體管的性能91-92
  • 3.4 本章小結92-94
  • 參考文獻94-95
  • 第四章 總結與展望95-96

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