微納米ZnO基紫外光電探測(cè)器的制備與性能研究
本文關(guān)鍵詞:微納米ZnO基紫外光電探測(cè)器的制備與性能研究
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【摘要】:ZnO是最重要的II-VI族半導(dǎo)體材料之一,由于其自身的寬直接帶隙特性被廣泛認(rèn)為是一種非常有前途的可以應(yīng)用于各種技術(shù)領(lǐng)域的材料,特別是應(yīng)用于短波長(zhǎng)光電器件。此外ZnO具有諸多優(yōu)點(diǎn),如形貌豐富、合成方法多樣、原料廉價(jià)易得、熱穩(wěn)定性好、載流子遷移率高尤其是它的耐輻射性能十分優(yōu)異,這使得ZnO材料非常適合使用于惡劣的環(huán)境中。特別地,由于微納米結(jié)構(gòu)的小尺寸效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)等,使得微納米ZnO材料與其體材料相比具有更加優(yōu)異的性能。因此,本文旨在利用ZnO微納米結(jié)構(gòu)獨(dú)特的性質(zhì),以納米科學(xué)本身的優(yōu)勢(shì)為依托來(lái)構(gòu)建紫外光電器件,從而獲得良好的光電響應(yīng)性能。本文主要工作如下:1.我們采用氣相傳輸法制備了結(jié)晶性能良好的六邊形ZnO微米棒,并以磁控濺射法制備了Ag電極從而構(gòu)建了金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)結(jié)構(gòu)的紫外光電探測(cè)器,并對(duì)器件的紫外光電響應(yīng)性能和機(jī)理進(jìn)行分析研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在5 V偏壓下該器件的暗電流為5.0×10~(-9) A,而在325 nm光照下,光電流則大幅提升至約7.2×10~(-8) A。經(jīng)過(guò)擬合得到該器件的上升和恢復(fù)時(shí)間分別為2.02秒和4.66秒。2.在單根ZnO微米棒紫外光電探測(cè)器的基礎(chǔ)上,我們又引入了ZnO量子點(diǎn),成功構(gòu)建了ZnO量子點(diǎn)修飾單根ZnO微米棒的紫外光電探測(cè)器。在量子點(diǎn)的修飾下器件獲得了更加優(yōu)異的紫外探測(cè)性能,其光電流和明暗電流比相較之前的單根ZnO微米棒都提高了約兩個(gè)數(shù)量級(jí),而上升和恢復(fù)時(shí)間則加快了超過(guò)一個(gè)數(shù)量級(jí),并且其響應(yīng)度在提高的同時(shí)也得到了向短波長(zhǎng)方向的展寬。3.我們利用實(shí)驗(yàn)室制備的氧化石墨烯溶液自組裝成氧化石墨烯薄膜,然后將其轉(zhuǎn)移到Au叉指電極上并使用抗壞血酸對(duì)其進(jìn)行還原,從拉曼和電學(xué)方面分析了氧化石墨烯薄膜還原前后表面結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電性的改變程度。待其還原后我們?cè)偻ㄟ^(guò)滴涂的方法組裝上ZnO量子點(diǎn),以構(gòu)建ZnO量子點(diǎn)/還原氧化石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)的MSM紫外光電探測(cè)器。該器件在325 nm的光照下表現(xiàn)出明顯的明暗電流差異,且具有良好的可重復(fù)性和穩(wěn)定性。
【關(guān)鍵詞】:量子點(diǎn) ZnO微米棒 還原氧化石墨烯 電荷轉(zhuǎn)移 紫外光電探測(cè)器
【學(xué)位授予單位】:江蘇大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN23;TN304.2
【目錄】:
- 摘要5-6
- Abstract6-10
- 第一章 緒論10-24
- 1.1 引言10
- 1.2 ZnO材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)10-16
- 1.2.1 ZnO的基本性質(zhì)10-11
- 1.2.2 ZnO的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)11-13
- 1.2.3 ZnO的電學(xué)性質(zhì)13-15
- 1.2.4 ZnO的光學(xué)性質(zhì)15-16
- 1.3 ZnO微納米結(jié)構(gòu)的應(yīng)用16-19
- 1.3.1 在光電方面的應(yīng)用16-17
- 1.3.2 在生物傳感方面的應(yīng)用17
- 1.3.3 在氣敏方面的應(yīng)用17-18
- 1.3.4 在壓電方面的應(yīng)用18
- 1.3.5 在稀磁方面的應(yīng)用18-19
- 1.4 ZnO基紫外光電探測(cè)器的研究進(jìn)展19-22
- 1.4.1 MSM結(jié)構(gòu)的ZnO基紫外探測(cè)器20
- 1.4.2 肖特基型紫外探測(cè)器20-21
- 1.4.3 p-n和p-i-n結(jié)型紫外探測(cè)器21-22
- 1.4.4 納米結(jié)構(gòu)ZnO基紫外探測(cè)器22
- 1.5 本論文的主要研究?jī)?nèi)容22-24
- 第二章 ZnO微納米結(jié)構(gòu)的典型制備方法與實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹24-33
- 2.1 ZnO微納米結(jié)構(gòu)的典型制備方法24-26
- 2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹26-33
- 2.2.1 樣品制備平臺(tái)26-28
- 2.2.2 樣品表征平臺(tái)28-30
- 2.2.2.1 掃描電子顯微鏡28-29
- 2.2.2.2 透射電子顯微鏡29-30
- 2.2.3 光學(xué)測(cè)試平臺(tái)30-33
- 2.2.3.1 熒光測(cè)試系統(tǒng)30-31
- 2.2.3.2 紫外-可見(jiàn)吸收光譜(UV-Vis)31-32
- 2.2.3.3 光電響應(yīng)測(cè)試32-33
- 第三章 單根ZnO微米棒紫外光電探測(cè)器的制備與性能研究33-40
- 3.1 引言33-34
- 3.2 ZnO微米棒的制備與表征34-35
- 3.3 Ag電極的制備35-36
- 3.4 單根ZnO微米棒紫外探測(cè)器的性能研究36-39
- 3.5 本章小結(jié)39-40
- 第四章 ZnO量子點(diǎn)修飾單根ZnO微米棒的紫外探測(cè)性能研究40-52
- 4.1 引言40-41
- 4.2 ZnO量子點(diǎn)的制備與表征41-43
- 4.2.1 實(shí)驗(yàn)所用儀器與試劑41-42
- 4.2.2 實(shí)驗(yàn)方法與表征手段42
- 4.2.3 ZnO量子點(diǎn)的表征42-43
- 4.3 ZnO量子點(diǎn)修飾單根ZnO微米棒的紫外探測(cè)器構(gòu)建與性能研究43-50
- 4.4 本章小結(jié)50-52
- 第五章 ZnO量子點(diǎn)/還原氧化石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)性能研究52-60
- 5.1 引言52-53
- 5.2 氧化石墨烯薄膜的制備與表征53-55
- 5.2.1 主要化學(xué)試劑53
- 5.2.2 氧化石墨烯的制備53-54
- 5.2.3 氧化石墨烯薄膜的自組裝54-55
- 5.3 ZnO量子點(diǎn)/還原氧化石墨烯紫外探測(cè)器的構(gòu)建與性能研究55-58
- 5.4 本章小結(jié)58-60
- 第六章 結(jié)論與展望60-63
- 6.1 結(jié)論60-61
- 6.2 展望61-63
- 參考文獻(xiàn)63-73
- 致謝73-74
- 碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及其他科研成果74
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,本文編號(hào):772305
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