發(fā)布時間：2017-08-30 22:06

  本文關(guān)鍵詞：單晶硅各向異性濕法刻蝕的形貌控制

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【摘要】：針對擺式微加速度計的制作,對利用兩種添加劑共同修飾的TMAH刻蝕液的單晶硅濕法刻蝕技術(shù)及其相關(guān)刻蝕特性進(jìn)行了研究。分析了兩種添加劑之間的作用機理及對單晶硅濕法刻蝕的影響,選擇合適的添加劑刻蝕液配比,實現(xiàn)了穩(wěn)定的刻蝕形貌控制。通過兩種添加劑的共同作用,獲得了具有光滑刻蝕表面(粗糙度約為1nm)和良好凸角保護(hù)(凸角側(cè)蝕比率小于0.8)的刻蝕形貌。實驗結(jié)果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-100+IPA)下的刻蝕形貌具有明顯優(yōu)勢。最后,基于添加劑對疏水性單晶硅材料的作用機理及表面張力調(diào)節(jié),表面活性劑和酒精類添加劑之間的相互作用分析了刻蝕形貌發(fā)生變化的原因。以典型懸臂梁-質(zhì)量塊的制作為例,驗證了采用該單晶硅刻蝕形貌控制方法可以獲得微加速度計光滑的懸臂梁表面和無需凸角補償?shù)耐暾|(zhì)量塊。相比于其它制作工藝,該方法簡單、易操作,有利于提高微機電器件的性能。
【作者單位】： 南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院;中國工程物理研究院電子工程研究所;
【關(guān)鍵詞】： 單晶硅 濕法刻蝕 形貌控制 三重溶液 表面粗糙度 凸角
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(No.51305412) 中國工程物理研究院超精密加工技術(shù)重點實驗室研究基金資助項目(No.2012CJMZZ00003)
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 1引言在微機電系統(tǒng)工藝中,依據(jù)單晶硅的各向異性刻蝕特性所發(fā)展起來的濕法刻蝕技術(shù)在制作微型器件,特別是慣性器件如加速度計的過程中發(fā)揮了巨大作用,內(nèi)容涉及軍事、民用等各個應(yīng)用領(lǐng)域。與反應(yīng)離子刻蝕(Reactive-Ion Etching,RIE)等干法刻蝕相比較,濕法刻蝕技術(shù)的刻蝕深度均

【共引文獻(xiàn)】

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：761730