本文關鍵詞：基于動態(tài)適應度函數(shù)的光源掩模優(yōu)化方法

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【摘要】：提出了一種基于動態(tài)適應度函數(shù)的光刻機光源掩模優(yōu)化方法(SMO)。動態(tài)適應度函數(shù)方法在遺傳算法優(yōu)化過程中采用動態(tài)適應度函數(shù)模擬真實光刻工藝條件誤差對光刻結果的影響,得到對光刻工藝條件誤差不敏感的優(yōu)化光源和優(yōu)化掩模。該方法無需優(yōu)化權重系數(shù),即可獲得與權重優(yōu)化后的加權適應度函數(shù)方法相近的工藝寬容度。典型邏輯圖形的仿真實驗表明,曝光劑量誤差為15%時,動態(tài)適應度函數(shù)方法得到的優(yōu)化光源和優(yōu)化掩模的可用焦深達到200 nm,與加權適應度函數(shù)方法的優(yōu)化效果相當。動態(tài)適應度函數(shù)方法也可用于降低SMO的優(yōu)化光源和掩模對其他工藝條件誤差如彗差的敏感度。
【作者單位】： 中國科學院上海光學精密機械研究所信息光學與光電技術實驗室;中國科學院大學;
【關鍵詞】： 光學設計 光刻 光源掩模優(yōu)化 分辨率增強技術 遺傳算法 適應度函數(shù)
【基金】：國家自然科學基金(61275207,61205102)
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 1引言光刻是超大規(guī)模集成電路制造的核心技術之一。光源掩模優(yōu)化方法(SMO)同時優(yōu)化光源照明模式和掩模圖形。和傳統(tǒng)的分辨率增強技術如光學臨近修正技術(OPC)相比,SMO具有更大的優(yōu)化自由度,是進一步提高光刻的分辨率和工藝窗口的關鍵技術之一[1]。T Fühner等[2-3]提出了一種

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本文編號：759322