本文關(guān)鍵詞：背照式CCD量子效率的工藝仿真研究

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【摘要】：使用Silvaco軟件建立了背照式CCD仿真模型,利用該模型進(jìn)行了工藝和器件仿真,研究了背面減薄、背面摻雜、界面陷阱和增透膜對(duì)背照式CCD量子效率的影響。仿真結(jié)果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率損失的重要原因。在完全去除過渡區(qū)后,利用峰值位于表面且具有高雜質(zhì)濃度梯度的背面摻雜和適當(dāng)?shù)膯螌釉鐾改?可獲得峰值在90%以上的量子效率。
【作者單位】： 重慶光電技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 背照式CCD 背面工藝 量子效率 工藝仿真
【分類號(hào)】：TN386.5
【正文快照】： 0引言背照式感光可避免柵電極和介質(zhì)層對(duì)入射光的吸收,已成為制作高量子效率CCD的主要手段。為了實(shí)現(xiàn)背面進(jìn)光,需減薄CCD至特定厚度。減薄后的硅片表面裸露在空氣中會(huì)生長自然氧化層,其生長過程中會(huì)在硅-二氧化硅界面引入大量界面陷阱[1],這些陷阱會(huì)捕獲光生電子,降低器件的量

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