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真空共晶焊接工藝參數(shù)對焊點(diǎn)空洞率的影響

發(fā)布時(shí)間:2017-08-29 17:27

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【摘要】:為了降低大功率芯片的焊點(diǎn)空洞率,改善大功率芯片的散熱效果,運(yùn)用ANSYS軟件建立了砷化鎵芯片與熱沉的焊接三維有限元仿真模型。通過單因素試驗(yàn)設(shè)置鍍金層厚度、降溫速率和升溫速率進(jìn)行仿真,分析工藝參數(shù)對焊點(diǎn)空洞率的影響規(guī)律,得到最小的焊點(diǎn)空洞率工藝參數(shù)組合。仿真結(jié)果表明,對真空共晶焊焊點(diǎn)空洞影響最顯著的是降溫速率,其次是鍍金層厚度,升溫速率無影響,真空共晶焊焊點(diǎn)空洞率最小的工藝參數(shù)組合為鍍金層厚度8μm、降溫速率1.5℃/s、升溫速率0.7~1.1℃/s。
【作者單位】: 桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】真空共晶焊 空洞 空洞率 工藝參數(shù)
【基金】:預(yù)研項(xiàng)目“多能量***研究”
【分類號】:TN405
【正文快照】: 隨著各種電子產(chǎn)品的普及,功率器件得到了廣泛應(yīng)用,電子系統(tǒng)的集成度也越來越高。電子系統(tǒng)的高度集成化必然帶來高熱量。雖然可采用新型的焊接方式及散熱方式進(jìn)行散熱,但對于高度集成化的大功率器件或系統(tǒng)仍然不夠,焊接空洞仍然是影響芯片散熱的主要因素之一[1],如在大功率芯片

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