本文關(guān)鍵詞：SiC和GaN電力電子器件的研究進(jìn)展

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【摘要】：與傳統(tǒng)的Si基器件相比,SiC和GaN器件具有工作溫度高、擊穿電壓高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì),因此SiC和GaN材料是制備電力電子器件的理想材料。總結(jié)了近年來(lái)SiC和GaN電力電子器件的研究進(jìn)展,包括二極管,MOSFET,JFET和BJT結(jié)構(gòu)的SiC器件,以及SBD,PN結(jié)二極管,HEMT和MOSFET結(jié)構(gòu)的GaN器件。
【作者單位】： 沈陽(yáng)農(nóng)業(yè)大學(xué)信息與電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： SiC GaN 電力電子器件
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目(71301108) 遼寧省教學(xué)科學(xué)十二五規(guī)劃課題(JG13DB093)
【分類號(hào)】：TN303
【正文快照】： 1引言目前,全球范圍內(nèi)40%的能量以電力能源的方式被消耗掉,電力電子技術(shù)在電能的產(chǎn)生、存儲(chǔ)和分配等環(huán)節(jié)扮演著非常重要的角色。電力轉(zhuǎn)換過(guò)程中,Si基電力電子器件耗費(fèi)掉很大一部分能量,這是由于Si基器件在擊穿電壓、工作溫度、轉(zhuǎn)換頻率等方面具有明顯的劣勢(shì)。Si基電力電子器件

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本文編號(hào)：735934