SiC功率開關管短路特性分析及保護綜述
發(fā)布時間:2017-08-24 12:32
本文關鍵詞:SiC功率開關管短路特性分析及保護綜述
【摘要】:為保證碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一個關鍵性問題就是功率器件的短路能力。介紹兩種短路故障,分析了短路電流變化機理,對3種典型商用SiC功率開關管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性進行了對比分析,并對它們的短路檢測及保護方法進行了對比分析和歸納,最后進一步探討和總結了SiC開關管短路能力及短路保護中存在的問題。
【作者單位】: 南京航空航天大學多電飛機電氣系統(tǒng)工業(yè)和信息化部重點實驗室自動化學院;河海大學江蘇省輸配電裝備技術重點實驗室物聯(lián)網(wǎng)工程學院;
【關鍵詞】: 碳化硅 功率器件 短路特性 短路保護
【基金】:國家自然科學基金項目資助(51277095) 教育部博士點基金項目資助(20123218120017) 中央高;究蒲袠I(yè)務費專項資金項目資助(NS2015039;NS20160047) 江蘇高校優(yōu)勢學科建設工程項目資助
【分類號】:TN386
【正文快照】: 與硅器件相比,碳化硅(Sillicon Carbide,SiC)器件具有通態(tài)電阻低、開關速度快、熱導率高等性能優(yōu)勢[1],有利于提高變換器的效率和功率密度,在工業(yè)[2-3]、高溫高頻[4-8]、可再生能源發(fā)電[9]等場合中已取得初步應用。然而,在實際應用中,功率器件不可避免地要工作在過載、短路等
【相似文獻】
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,本文編號:731331
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