天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁(yè) > 科技論文 > 電子信息論文 >

一種2.4GHz CMOS射頻開(kāi)關(guān)和功率放大器的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-08-24 08:11

  本文關(guān)鍵詞:一種2.4GHz CMOS射頻開(kāi)關(guān)和功率放大器的設(shè)計(jì)


  更多相關(guān)文章: 射頻集成電路 CMOS工藝 射頻開(kāi)關(guān) 功率放大器


【摘要】:現(xiàn)今,無(wú)線通信系統(tǒng)的技術(shù)有了巨大的進(jìn)步,新型的收發(fā)機(jī)架構(gòu)和電路的出現(xiàn),使數(shù)據(jù)傳輸僅消耗較小的功率,就能更快的傳遞到更遠(yuǎn)的地區(qū)。具有集成度和成本等顯著亮點(diǎn)的CMOS技術(shù)的出現(xiàn),使現(xiàn)代無(wú)線通信產(chǎn)品的集成度、功耗以及成本都達(dá)到了前所未有的水平。RF CMOS開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵指標(biāo)是插入損耗、隔離度和線性度,三者之間存在一定的相互制約因素。所以,如何在保證隔離度較好的情況下,提高RF開(kāi)關(guān)的線性度,是RF CMOS開(kāi)關(guān)一直面臨的問(wèn)題。而RF CMOS PA性能好壞主要由線性度、輸出功率及效率等因素決定,故RF CMOS PA面臨的主要問(wèn)題則是如何在其滿足線性度較高的情況下使效率得到改善。因此,采用CMOS工藝設(shè)計(jì)高性能的RF開(kāi)關(guān)和PA非常具有挑戰(zhàn)性,也是國(guó)內(nèi)外的主要研究方向。本文的設(shè)計(jì)為一種2.4GHzCMOS射頻開(kāi)關(guān)及功率放大器,其中RF收發(fā)開(kāi)關(guān)采用非對(duì)稱單刀雙擲結(jié)構(gòu)。為了提高射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)每個(gè)MOS管的功率處理能力,使信號(hào)電壓均勻分布,本設(shè)計(jì)采用交流懸浮偏壓和前饋電容技術(shù)。并且,本設(shè)計(jì)還采用雙懸浮的CMOS工藝三阱設(shè)計(jì)方法,通過(guò)將P阱與深N阱用一個(gè)大電阻懸浮的方式來(lái)提高開(kāi)關(guān)的隔離度和線性度。本文RF CMOS PA的設(shè)計(jì)為兩級(jí)級(jí)聯(lián)的共源共柵AB類放大器,本設(shè)計(jì)在功率級(jí)添加了一個(gè)預(yù)失真電路,通過(guò)抵消其失真的增益和相位來(lái)提高PA的線性度。此外,為改善PA的功率附加效率(PAE),本設(shè)計(jì)對(duì)驅(qū)動(dòng)級(jí)和功率級(jí)的偏置電流進(jìn)行控制,使PA可以切換于高低功率兩種工作模式,由此使多余的功率損耗降低,進(jìn)而提升PA的工作效率。本文設(shè)計(jì)的RF CMOS收發(fā)開(kāi)關(guān)已流片并完成測(cè)試,其測(cè)試結(jié)果為,在頻率為2.4GHz時(shí),發(fā)射路徑的插入損耗約為1.04dB,隔離度能達(dá)到34.82dB,輸出功率的1dB壓縮點(diǎn)為35.58dBm左右。而RF CMOSPA也已完成版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行后仿真,其后仿真結(jié)果為,在2.4-2.5GHz頻段,最大增益為33.18dB,輸出功率的1dB壓縮點(diǎn)為22.06dBm,最大功率附加效率為34.55%。本文設(shè)計(jì)的2.4GHzCMOS射頻開(kāi)關(guān)及功率放大器,均滿足設(shè)計(jì)要求,對(duì)推動(dòng)無(wú)線局域網(wǎng)的發(fā)展有一定的貢獻(xiàn)。
【關(guān)鍵詞】:射頻集成電路 CMOS工藝 射頻開(kāi)關(guān) 功率放大器
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN722.75
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-10
  • 第一章 緒論10-18
  • 1.1 課題背景與意義10-12
  • 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀12-14
  • 1.3 研究?jī)?nèi)容與設(shè)計(jì)指標(biāo)14-15
  • 1.3.1 研究?jī)?nèi)容14-15
  • 1.3.2 設(shè)計(jì)指標(biāo)15
  • 1.4 論文組織15-18
  • 第二章 RF開(kāi)關(guān)和PA的關(guān)鍵指標(biāo)與問(wèn)題分析18-32
  • 2.1 RF開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵指標(biāo)與問(wèn)題分析18-23
  • 2.1.1 傳統(tǒng)RF CMOS收發(fā)開(kāi)關(guān)的電路結(jié)構(gòu)18-19
  • 2.1.2 插入損耗19-20
  • 2.1.3 隔離度20
  • 2.1.4 線性度20-22
  • 2.1.5 RF CMOS開(kāi)關(guān)面臨的問(wèn)題22-23
  • 2.2 RF PA的關(guān)鍵指標(biāo)與問(wèn)題分析23-31
  • 2.2.1 傳統(tǒng)RF CMOS PA的電路結(jié)構(gòu)23-24
  • 2.2.2 RF PA的分類24-28
  • 2.2.3 輸出功率28-29
  • 2.2.4 效率和增益29-30
  • 2.2.5 功率容量30
  • 2.2.6 負(fù)載牽引技術(shù)30-31
  • 2.2.7 RF CMOS PA面臨的問(wèn)題31
  • 2.3 本章小結(jié)31-32
  • 第三章 RF CMOS非對(duì)稱單刀雙擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)32-42
  • 3.1 RF CMOS開(kāi)關(guān)面臨問(wèn)題的分析32-33
  • 3.2 RF CMOS非對(duì)稱單刀雙擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的電路設(shè)計(jì)33-40
  • 3.2.1 RF CMOS非對(duì)稱單刀雙擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的整體電路結(jié)構(gòu)33-34
  • 3.2.2 單個(gè)晶體管的分析34-36
  • 3.2.3 疊加晶體管的數(shù)量設(shè)計(jì)36
  • 3.2.4 交流懸浮偏壓技術(shù)36
  • 3.2.5 前饋電容技術(shù)36-38
  • 3.2.6 一種雙懸浮的CMOS三阱設(shè)計(jì)方法38-39
  • 3.2.7 天線效應(yīng)的消除方法39-40
  • 3.3 RF CMOS非對(duì)稱SPDT單刀雙擲開(kāi)關(guān)的版圖設(shè)計(jì)40-41
  • 3.4 本章小結(jié)41-42
  • 第四章 RF CMOS高效率PA的設(shè)計(jì)42-52
  • 4.1 RF CMOS PA面臨問(wèn)題的分析42
  • 4.2 RF CMOS高效率PA的電路設(shè)計(jì)42-48
  • 4.2.1 RF CMOS高效率PA的原理圖42-43
  • 4.2.2 RF CMOS高效率PA的整體電路結(jié)構(gòu)43-44
  • 4.2.3 功率級(jí)電路設(shè)計(jì)44-46
  • 4.2.4 驅(qū)動(dòng)級(jí)電路設(shè)計(jì)46-48
  • 4.3 RF CMOS高效率PA的阻抗匹配48-50
  • 4.3.1 輸出匹配網(wǎng)絡(luò)48-49
  • 4.3.2 級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)49-50
  • 4.3.3 輸入匹配網(wǎng)絡(luò)50
  • 4.4 RF CMOS高效率PA的版圖設(shè)計(jì)50-51
  • 4.5 本章小結(jié)51-52
  • 第五章 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析52-60
  • 5.1 RF CMOS非對(duì)稱單刀雙擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的仿真及測(cè)試結(jié)果52-55
  • 5.1.1 R.F CMOS非對(duì)稱單刀雙擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的前仿真結(jié)果52-53
  • 5.1.2 RF CMOS非對(duì)稱單刀雙擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的后仿真結(jié)果53-54
  • 5.1.3 RF CMOS非對(duì)稱單刀雙擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的測(cè)試結(jié)果54-55
  • 5.2 RF CMOS高效率PA的仿真結(jié)果55-58
  • 5.2.1 RF CMOS高效率PA的前仿真結(jié)果55-57
  • 5.2.2 RF CMOS高效率PA的后仿真結(jié)果57-58
  • 5.3 本章小結(jié)58-60
  • 第六章 總結(jié)與展望60-62
  • 6.1 總結(jié)60-61
  • 6.2 展望61-62
  • 參考文獻(xiàn)62-66
  • 致謝66-68
  • 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文68

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條

1 王寧章;唐江波;秦國(guó)賓;盧安棟;羅婕思;;3GHz~5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)[J];電子技術(shù)應(yīng)用;2011年09期

2 任樂(lè)寧,朱樟明,楊銀堂;一種基于準(zhǔn)浮柵技術(shù)的0.6V,2.4GHz CMOS混頻器[J];電路與系統(tǒng)學(xué)報(bào);2005年01期

3 杜春山;陳常勇;劉章發(fā);;1.8GHz CMOS高效率E類功率放大器[J];半導(dǎo)體技術(shù);2007年08期

4 劉高輝;馬曉波;;5.2GHz CMOS功率放大器設(shè)計(jì)[J];計(jì)算機(jī)工程與應(yīng)用;2011年35期

5 任懷龍;默立冬;吳思漢;陳興;馮威;廖斌;吳洪江;;5.8GHz CMOS混頻器設(shè)計(jì)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2008年03期

6 危長(zhǎng)明,陳迪平,陳弈星;一種900MHz CMOS低壓高線性度混頻器的設(shè)計(jì)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2005年10期

7 褚方青;李巍;蘇彥鋒;任俊彥;;一種新型的基于GSM1900標(biāo)準(zhǔn)的1·9GHz CMOS混頻器(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2006年03期

8 ;[J];;年期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 金香菊;王向展;尤煥成;朱磊;;2.4GHz CMOS功率放大器設(shè)計(jì)[A];四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專委會(huì)2006年度學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2006年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 孫浩;一種2.4GHz CMOS射頻開(kāi)關(guān)和功率放大器的設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2016年

2 蘇國(guó)東;5.8GHz CMOS功率放大器研究與設(shè)計(jì)[D];杭州電子科技大學(xué);2012年

3 吳明明;2.4GHz CMOS混頻器的設(shè)計(jì)與仿真[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2006年

,

本文編號(hào):730163

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/730163.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶4b991***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com