本文關(guān)鍵詞：二氟化氙釋放犧牲層多晶硅刻蝕速率研究

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【摘要】：該文研究了相關(guān)工藝參數(shù)對(duì)二氟化氙(XeF_2)干法釋放多晶硅的釋放速率的影響。結(jié)果表明,對(duì)于薄膜體聲波諧振器(FBAR)懸臂結(jié)構(gòu),腔室壓力不變時(shí),隨著載氣N_2流量的增大,刻蝕速率先增加后減少,刻蝕速率最大值為10.3μm/min;載氣N2流量不變時(shí),腔室壓力越大,工藝腔室參與刻蝕反應(yīng)的XeF_2氣體的濃度增大,刻蝕速率越大。當(dāng)腔室壓力超過1 200Pa時(shí),隨著腔室壓力的增加,刻蝕速率的增長率逐漸減小。
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所;
【關(guān)鍵詞】： 空氣隙 干法刻蝕 刻蝕速率 粗糙度 支撐層
【分類號(hào)】：TN305.7
【正文快照】： 0引言隨著薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)在無線通訊設(shè)備中的廣泛應(yīng)用,空氣隙FBAR結(jié)構(gòu)因具有好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和相對(duì)較高的品質(zhì)因數(shù)(Q)值而成為國內(nèi)外研究的熱點(diǎn),是目前用于產(chǎn)品最成功的結(jié)構(gòu)形式[1]。空氣隙FBAR結(jié)構(gòu)是在加工完電極和壓電膜后,通過移除其下方的犧牲層材料形成空氣腔

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本文編號(hào)：725489