本文關(guān)鍵詞：EUV光刻工藝全球?qū)＠l(fā)展態(tài)勢(shì)研究

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【摘要】：EUV光刻正在成為引領(lǐng)集成電路光刻技術(shù)發(fā)展的最具潛力的技術(shù)。本文圍繞EUV光刻工藝技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)利申請(qǐng)發(fā)展趨勢(shì)、區(qū)域分布、主要申請(qǐng)人以及重點(diǎn)技術(shù)等幾個(gè)方面對(duì)其全球?qū)＠暾?qǐng)的發(fā)展態(tài)勢(shì)和布局情況進(jìn)行研究,以期對(duì)政府決策和企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略的制定提供參考和幫助。
【作者單位】： 國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利局電學(xué)發(fā)明審查部;
【關(guān)鍵詞】： EUV EUVL 極紫外 極紫光 光刻 微影
【分類(lèi)號(hào)】：TN305.7;G306
【正文快照】： 隨著對(duì)集成電路(〖C)密度和性能要求的不斷提高,進(jìn)一步降低圖形的線寬成為了1C制造技術(shù)中的關(guān)鍵因素,同時(shí)也是衡量1C技術(shù)發(fā)展高度的重要指標(biāo),因此需要相應(yīng)地提高圖形光刻技術(shù)的精度。然而,在半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸不斷縮小的同時(shí),圖形光刻技術(shù)也面臨著越來(lái)越多的挑戰(zhàn)。目前比較

【參考文獻(xiàn)】

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1 山口佳一;征矢野晃雅;\齷，

本文編號(hào)：714122