本文關(guān)鍵詞：氧分壓對銦鎵鋅氧薄膜晶體管性能影響

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【摘要】：采用標準的液晶顯示屏基板制備工藝制備出銦鎵鋅氧薄膜晶體管(IGZO-TFT),通過調(diào)節(jié)IGZO薄膜工藝中氧分壓,研究不同氧分壓對TFT器件電學(xué)性能的影響。實驗結(jié)果表明,所有器件都展現(xiàn)出良好的電學(xué)特性,隨著氧分壓從10%增加到50%,TFT的閾值電壓由0.5V增加到2.2V,而亞閾值擺幅沒有發(fā)生變化。在柵極施加30V偏壓3 600s后,隨著氧分壓的增加,閾值電壓向正向的漂移量由1V增加到9V。經(jīng)過分析得出高氧分壓的IGZO-TFT器件中載流子濃度低,建立相同導(dǎo)電能力的溝道時所需要柵極電壓會更大,閾值電壓會增加。而在金屬-絕緣層-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)中低載流子濃度會導(dǎo)致有源層能帶彎曲的部分包含更多與電子陷阱相同的能態(tài),柵介質(zhì)層(GI)會俘獲更多的電子,造成閾值電壓漂移量較大的現(xiàn)象。
【作者單位】： 京東方科技集團股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 銦鎵鋅氧薄膜晶體管 氧分壓 閾值電壓漂移 電子積累層
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： (BOE Technology Group Co.,Limited,Beijing100176,China)1引言目前,在傳統(tǒng)顯示領(lǐng)域TFT有源層材料主要為a-Si,LTPS,IGZO。a-Si材料基板工藝制程相對簡單,但是載流子遷移率較低,在高分辨,窄邊框和低功耗的液晶顯示發(fā)展趨勢中逐漸失去競爭優(yōu)勢,更難以在OLED中應(yīng)用。LTPS載流子

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