發(fā)布時間：2017-08-17 19:11

  本文關(guān)鍵詞：Qorvo發(fā)布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器

  更多相關(guān)文章： 氮化鎵 分立式 高頻性能 GaN LNA Qorvo 制造工藝 芯片級 美國國防生產(chǎn)法 應(yīng)用工程

【摘要】：正Qorvo發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管——TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵;分立式;高頻性能;GaN;LNA;Qorvo;制造工藝;芯片級;美國國防生產(chǎn)法;應(yīng)用工程;
【分類號】：TN32
【正文快照】： Qorvo發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管——TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo　0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)

【相似文獻(xiàn)】

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3 徐凱宇;唐s，

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