發(fā)布時間：2017-08-17 17:29

  本文關(guān)鍵詞：表面處理對Au-CdZnTe電極接觸性能的影響

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【摘要】：碲鋅鎘(CdZnTe)是制備X射線、γ射線探測器的一種理想半導(dǎo)體材料。CdZnTe歐姆接觸電極是制備CdZnTe核輻射探測器的關(guān)鍵技術(shù)之一。表面加工狀態(tài)是影響歐姆接觸性能的重要因素,文中研究了4種表面處理工藝對Au-CdZnTe電極接觸性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)對晶片表面進行溴甲醇腐蝕處理和機械化學(xué)拋光均有助于提升Au-CdZnTe電極歐姆接觸性能。對晶片進行機械化學(xué)拋光后再進行溴甲醇腐蝕處理,使用這種晶片所制備的電極具有更加優(yōu)良的綜合電學(xué)性能。
【作者單位】： 上海大學(xué)材料學(xué)院;中國科學(xué)院紅外成像材料與器件重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 碲鋅鎘 表面處理 機械化學(xué)拋光 歐姆接觸
【基金】：紅外成像材料與器件重點實驗室開放基金資助項目(IIMDKFJJ-12-01)
【分類號】：TN304.2
【正文快照】：

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本文編號：690249