本文關(guān)鍵詞：表面處理對(duì)Au-CdZnTe電極接觸性能的影響

  更多相關(guān)文章： 碲鋅鎘 表面處理 機(jī)械化學(xué)拋光 歐姆接觸

【摘要】：碲鋅鎘(CdZnTe)是制備X射線、γ射線探測(cè)器的一種理想半導(dǎo)體材料。CdZnTe歐姆接觸電極是制備CdZnTe核輻射探測(cè)器的關(guān)鍵技術(shù)之一。表面加工狀態(tài)是影響歐姆接觸性能的重要因素,文中研究了4種表面處理工藝對(duì)Au-CdZnTe電極接觸性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)對(duì)晶片表面進(jìn)行溴甲醇腐蝕處理和機(jī)械化學(xué)拋光均有助于提升Au-CdZnTe電極歐姆接觸性能。對(duì)晶片進(jìn)行機(jī)械化學(xué)拋光后再進(jìn)行溴甲醇腐蝕處理,使用這種晶片所制備的電極具有更加優(yōu)良的綜合電學(xué)性能。
【作者單位】： 上海大學(xué)材料學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 碲鋅鎘 表面處理 機(jī)械化學(xué)拋光 歐姆接觸
【基金】：紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金資助項(xiàng)目(IIMDKFJJ-12-01)
【分類號(hào)】：TN304.2
【正文快照】：

【相似文獻(xiàn)】

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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