本文關(guān)鍵詞：交流阻抗譜在OLED器件中的應(yīng)用

  更多相關(guān)文章： 交流阻抗譜 有機(jī)半導(dǎo)體器件 等效電路 奈奎斯特阻抗曲線

【摘要】：相比于傳統(tǒng)LCD,OLED顯示技術(shù)憑借其能耗低、視角寬、對(duì)比度高、低成本等優(yōu)點(diǎn)在近幾年迅速占領(lǐng)市場(chǎng),并在電子設(shè)備迅速發(fā)展的今天被廣泛認(rèn)可,被認(rèn)為是最有可能繼承和替代液晶產(chǎn)品的存在,對(duì)OLEDs的研究不僅在其效率和發(fā)光色比度上,同時(shí)也需要對(duì)其內(nèi)部的電學(xué)現(xiàn)象進(jìn)行深度的探索和優(yōu)化。交流阻抗譜技術(shù)因其對(duì)體系干擾小、測(cè)試頻率范圍廣、測(cè)試成本低、測(cè)試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)正在被廣泛地應(yīng)用在多個(gè)領(lǐng)域。本論文主要通過(guò)運(yùn)用交流阻抗譜技術(shù)來(lái)研究分析有機(jī)半導(dǎo)體器件的內(nèi)部電學(xué)特性:我們通過(guò)將F4-TCNQ作為空穴緩沖層制備有機(jī)電致發(fā)光器件以及單空穴載流子器件,對(duì)比得出增加F4-TCNQ空穴緩沖層可以增加空穴載流子的注入、提高有機(jī)電致發(fā)光器件的性能。為了驗(yàn)證空穴緩沖層對(duì)ITO陽(yáng)極的修飾作用,我們利用交流阻抗譜對(duì)制備的器件進(jìn)行測(cè)試,并選取了合適的等效電路結(jié)合阻抗數(shù)據(jù)對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行擬合,肯定了F4-TCNQ空穴修飾層對(duì)陽(yáng)極空穴注入勢(shì)壘的修飾優(yōu)化作用。為了進(jìn)一步研究利用交流阻抗譜研究有機(jī)半導(dǎo)體器件的內(nèi)部電學(xué)性質(zhì),我們以F4-TCNQ作為客體摻雜到m-MTDATA中制備成電學(xué)摻雜的單載流子器件,器件的電流密度是隨著摻雜濃度的增加而增加的。之后我們?cè)诿枥L奈奎斯特阻抗曲線時(shí)發(fā)現(xiàn),電學(xué)摻雜情況的阻抗曲線呈現(xiàn)出來(lái)的是和簡(jiǎn)單修飾結(jié)構(gòu)不一樣的結(jié)構(gòu),結(jié)合基礎(chǔ)物理學(xué)的知識(shí)和等效擬合數(shù)據(jù)確定了是由于摻雜產(chǎn)生的耗盡層所導(dǎo)致的在阻抗曲線中的不同,也確定了電學(xué)摻雜對(duì)器件性能的優(yōu)化和提升。最后,我們對(duì)比了不同材料做修飾層的器件的性能差異,通過(guò)等效電路的擬合數(shù)據(jù)所做的曲線計(jì)算下降斜率,我們發(fā)現(xiàn)隨著偏壓增加不同材料制備的單載流子器件的電導(dǎo)性的差距不斷增加,這反應(yīng)不同材料降低的注入勢(shì)壘不同導(dǎo)致同等情況下更多的注入載流子會(huì)導(dǎo)致更低的弛豫時(shí)間,進(jìn)而影響阻抗值的變化,另外還發(fā)現(xiàn)不同修飾層的材料會(huì)對(duì)有機(jī)層發(fā)生擴(kuò)散現(xiàn)象,并且擴(kuò)散的程度和增加空穴注入的能力成正比。我們利用交流阻抗譜技術(shù)結(jié)合有機(jī)半導(dǎo)體的知識(shí)分析有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能,通過(guò)等效電路擬合分析阻抗數(shù)據(jù),可以對(duì)器件內(nèi)部發(fā)生的變化有著更直觀的理解,從一定意義上這對(duì)我們以后利用阻抗譜研究有機(jī)半導(dǎo)體電學(xué)性能以及選擇合適的等效電路有指導(dǎo)作用。
【關(guān)鍵詞】：交流阻抗譜 有機(jī)半導(dǎo)體器件 等效電路 奈奎斯特阻抗曲線
【學(xué)位授予單位】：南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN383.1
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-26
• 1.1 引言8
• 1.2 OLED器件的發(fā)展現(xiàn)狀8-10
• 1.3 交流阻抗譜技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀10-21
• 1.3.1 交流阻抗譜的概述和應(yīng)用10-14
• 1.3.2 交流阻抗譜的基礎(chǔ)原理14-21
• 1.4 Zsimpwin等效電路擬合法的原理與應(yīng)用21-26
• 第二章 交流阻抗譜研究OLED器件陽(yáng)極界面修飾26-39
• 2.1 背景介紹26-27
• 2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及器件制備27-29
• 2.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)27-28
• 2.2.2 器件制備28-29
• 2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論29-38
• 2.4 本章小結(jié)38-39
• 第三章 利用交流阻抗譜研究有機(jī)半導(dǎo)體電學(xué)摻雜39-58
• 3.1 背景介紹39
• 3.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及器件制備39-41
• 3.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)39-40
• 3.2.2 器件制備40-41
• 3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論41-57
• 3.4 本章小結(jié)57-58
• 第四章 交流阻抗譜研究不同界面材料的性能58-65
• 4.1 背景介紹58
• 4.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及器件制備58-59
• 4.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)58-59
• 4.2.2 器件制備59
• 4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論59-64
• 4.4 本章小結(jié)64-65
• 第五章 總結(jié)與展望65-67
• 參考文獻(xiàn)67-71
• 附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間撰寫的論文71-72
• 附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目72-73
• 致謝73

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本文編號(hào)：682994