本文關(guān)鍵詞：熱循環(huán)條件下高密度倒裝微銅柱凸點(diǎn)失效行為分析

  更多相關(guān)文章： 倒裝芯片封裝 微銅柱凸點(diǎn) 累積塑性應(yīng)變能密度 失效行為

【摘要】：基于圣維南原理,采用全局模型和子模型相結(jié)合的建模方針,建立倒裝芯片封裝的有限元模型.分析熱循環(huán)條件下微銅柱凸點(diǎn)的應(yīng)力及應(yīng)變分布,研究高密度倒裝芯片封裝微銅柱凸點(diǎn)的失效機(jī)理,對(duì)關(guān)鍵微銅柱凸點(diǎn)的裂紋生長(zhǎng)行為進(jìn)行分析.結(jié)果表明,距芯片中心最遠(yuǎn)處的微銅柱凸點(diǎn)具有最大的變形與應(yīng)力,為封裝體中的關(guān)鍵微銅柱凸點(diǎn);累積塑性應(yīng)變能密度主要分布在關(guān)鍵微銅柱凸點(diǎn)的基板側(cè),在其外側(cè)位置最大,向內(nèi)側(cè)逐漸減小,這表明裂紋萌生在基板側(cè)微銅柱凸點(diǎn)外側(cè),向內(nèi)側(cè)擴(kuò)展,試驗(yàn)結(jié)果與模擬結(jié)果相一致.
【作者單位】： 河南工業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 倒裝芯片封裝 微銅柱凸點(diǎn) 累積塑性應(yīng)變能密度 失效行為
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(U1504507) 河南省科技攻關(guān)資助項(xiàng)目(162102410018)
【分類號(hào)】：TN405
【正文快照】： 0序言為滿足電子產(chǎn)品微型化、便攜化和多功能化的市場(chǎng)需要,微電子封裝向著高密度化方向發(fā)展[1],尤其是代表封裝密度最高的倒裝芯片封裝,促使倒裝焊點(diǎn)的間距和尺寸連續(xù)減小.然而,對(duì)于應(yīng)用最為成熟的倒裝球形焊點(diǎn),隨著間距減小,相鄰球形焊點(diǎn)易發(fā)生橋連短路,并且由于相鄰焊點(diǎn)間空

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1 張瑞吟;;2013年銅柱凸塊封裝技術(shù)為主導(dǎo),基板市場(chǎng)規(guī)模大[J];集成電路應(yīng)用;2013年07期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 曹程良;基于銅柱凸塊覆晶技術(shù)的移動(dòng)裝置處理芯片封裝工藝創(chuàng)新研究[D];復(fù)旦大學(xué);2012年

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本文編號(hào)：682892