本文關鍵詞：基于IGBT有源門極控制的EMI抑制方法研究

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【摘要】：隨著大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)廣泛應用于電力電子裝置,其產生的電磁干擾(EMI)問題成為研究熱點。IGBT有源門極控制(ACC),該控制方法在關斷瞬間獲得不同的反饋增益,進而抑制關斷電壓尖峰。在此分析電路的工作原理、系統(tǒng)穩(wěn)定性及門極電壓波形,利用Saber仿真軟件建立IGBT串聯(lián)電路模型,在傳導干擾測試頻率范圍內,考慮寄生參數(shù)的情況下,仿真了IGBT在傳統(tǒng)門極控制和AGC下的共模/差模(CM/DM)干擾。搭建實驗平臺,通過測試得到AGC下對系統(tǒng)產生的EMI抑制效果更好,對電力電子裝置傳導EMI的抑制分析具有重要意義。
【作者單位】： 天津理工大學天津市復雜系統(tǒng)控制理論及應用重點實驗室;
【關鍵詞】： 絕緣柵雙極型晶體管 有源門極控制 抑制方法
【基金】：天津市應用基礎與前沿技術研究計劃(14JCYBJC18400)~~
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 1引言 隨著電力電子器件的不斷發(fā)展,大功率igbt以其開關速度快、耐壓等級高及安全工作區(qū)較寬等優(yōu)點廣泛應用于肖力電子裝置。顛,壓降師關損耗的權衡問題~栕舽IGBT的發(fā)展,}IGBT的串聯(lián)技術具有減小開關損耗,能夠達到*高的工作電壓以及提高設備性能等優(yōu)點,成為滿足大功率變換

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 張國安;張東霞;姜永金;董雅麗;;IGBT的du/dt有源門極控制技術的研究[J];電力電子技術;2012年06期

2 李明;王躍;高遠;王兆安;;采用動態(tài)電壓上升控制的1700 V大功率IGBT有源門極驅動技術[J];高電壓技術;2014年08期

3 ;[J];;年期

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本文編號：678565