本文關(guān)鍵詞：LaTiO高k柵介質(zhì)Ge MOS電容電特性及Ti含量優(yōu)化

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【摘要】：采用共反應濺射法將Ti添加到La_2O_3中,制備了LaTiO/Ge金屬-氧化物-半導體電容,并就Ti含量對器件電特性的影響進行了仔細研究.由于Ti-基氧化物具有極高的介電常數(shù),LaTiO柵介質(zhì)能夠獲得高k值;然而由于界面/近界面缺陷隨著Ti含量的升高而增加,添加Ti使界面質(zhì)量惡化,進而使柵極漏電流增大、器件可靠性降低.因此,為了在器件電特性之間實現(xiàn)協(xié)調(diào),對Ti含量進行優(yōu)化顯得尤為重要.就所研究的Ti/La_2O_3比率而言,18.4%的Ti/La_2O_3比率最合適.該比率導致器件呈現(xiàn)出高k值(22.7)、低D_(it)(5.5×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2))、可接受的J_g(V_g=1V,J_g=7.1×10~(-3)A·cm~(-2))和良好的器件可靠性.
【作者單位】： 黃岡師范學院電子信息系;華中科技大學光學與電子信息學院;
【關(guān)鍵詞】： Ge MOS LaTiO 界面質(zhì)量 k值
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61274112) 湖北省自然科學基金(批準號:2011CDB165) 黃岡師范學院科研項目(批準號:2012028803)資助的課題~~
【分類號】：TN386;O614.331
【正文快照】： 1引言由于具有較高的體載流子遷移率,Ge被認為是制備高性能金屬-氧化物-半導體(metal-oxide-semiconductor,MOS)器件的有效溝道材料之一.為了在提高運行速度的同時進一步等比縮小器件尺寸,人們對Ge MOS器件的高k柵介質(zhì)進行了廣泛研究,如Hf O2[1 3],Zr O2[4],Al2O3[5]和Ti O2[6

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