一種基于仲裁器的鍵合前硅通孔測(cè)試方法
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更多相關(guān)文章: 三維集成電路 硅通孔 鍵合前測(cè)試 測(cè)試精度 故障分級(jí)
【摘要】:硅通孔(TSV)故障嚴(yán)重降低了三維集成電路的良率和可靠性。為了在制造流程中盡早精確地排除TSV故障,提出了一種基于仲裁器的鍵合前TSV測(cè)試方法。由于高電平信號(hào)通過故障TSV的延遲時(shí)間小于無故障TSV,比較被測(cè)TSV與無故障TSV的延遲時(shí)間,即可判斷被測(cè)TSV是否存在故障,比較結(jié)果由仲裁器給出。依次將被測(cè)TSV的延遲時(shí)間與不同的延遲時(shí)間相比,可對(duì)其延遲進(jìn)行區(qū)間定位,實(shí)現(xiàn)TSV故障分級(jí)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該方案能夠檢測(cè)出開路電阻大于281Ω的電阻開路故障、泄漏電阻小于223 MΩ的泄漏故障,有效解決了兩種TSV故障共存的檢測(cè)問題。與現(xiàn)有同類方法相比,該方法提高了測(cè)試精度,增加了可檢測(cè)故障范圍,并且可以進(jìn)行故障分級(jí)。
【作者單位】: 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;安徽財(cái)經(jīng)大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系;
【關(guān)鍵詞】: 三維集成電路 硅通孔 鍵合前測(cè)試 測(cè)試精度 故障分級(jí)
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(62174036,61574052)
【分類號(hào)】:TN405
【正文快照】: 2.安徽財(cái)經(jīng)大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系,安徽蚌埠233030)1引言基于硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)的三維集成電路極大地推動(dòng)了集成電路行業(yè)的發(fā)展。與傳統(tǒng)的二維集成電路不同,三維集成電路通過TSV將多個(gè)晶片垂直堆疊,具有功耗低、帶寬寬、面積小、性能好、支持異構(gòu)集成等優(yōu)點(diǎn)[1]
【相似文獻(xiàn)】
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1 胡志富;王生國(guó);何大偉;蔡樹軍;;微波單片電路中通孔的建模[J];半導(dǎo)體技術(shù);2008年03期
2 鄧文璋;;電鍍通孔開路問題的分析和改善[J];印制電路信息;2013年02期
3 裴頌偉;黃河;何旭曙;鮑蘇蘇;;通孔對(duì)金屬連線溫度分布的影響[J];微電子學(xué);2006年04期
4 Jan Vardaman;;3-D貫穿硅通孔變成現(xiàn)實(shí)[J];集成電路應(yīng)用;2007年08期
5 江清明;周繼承;楊春暉;章曉文;;互連鋁通孔電遷移特征及其可靠性研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);2007年10期
6 Jan Provoost;Eric Beyne;;穿透硅通孔:兼顧技術(shù)與成本的考慮[J];集成電路應(yīng)用;2009年Z2期
7 楊智勤;歐陽小平;張曦;陸然;林健;;通孔電鍍銅填孔淺析[J];印制電路信息;2012年01期
8 肖勝安;程曉華;吳智勇;許升高;季偉;何亦驊;;一種金屬填充硅通孔工藝的研究[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2012年02期
9 劉培生;黃金鑫;仝良玉;沈海軍;施建根;;硅通孔技術(shù)的發(fā)展與挑戰(zhàn)[J];電子元件與材料;2012年12期
10 翟碩;;導(dǎo)通孔填充簡(jiǎn)介[J];印制電路信息;2008年11期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前9條
1 龐鈞文;王s,
本文編號(hào):668148
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