本文關(guān)鍵詞：場(chǎng)板結(jié)終端對(duì)金剛石SBD內(nèi)部電場(chǎng)分布及擊穿特性的影響

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【摘要】：建立了場(chǎng)板結(jié)終端對(duì)金剛石肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的數(shù)值模擬模型,采用Silvaco軟件中的器件仿真工具ATLAS模擬了場(chǎng)板長(zhǎng)度L、絕緣層厚度TOX、襯底摻雜濃度NB、場(chǎng)板結(jié)構(gòu)形狀對(duì)器件內(nèi)部電場(chǎng)分布以及擊穿電壓的影響,并對(duì)結(jié)果進(jìn)行了物理分析和解釋。結(jié)果表明:當(dāng)TOX=0.4μm、NB=1015cm-3、L在0~0.2μm范圍內(nèi)時(shí),擊穿電壓隨著L的增加而增加;L0.2μm后,擊穿電壓開始下降。當(dāng)L=0.2μm、NB=1015cm-3、TOX在0.1~0.4μm范圍內(nèi)時(shí),擊穿電壓隨著TOX的增加而增加;TOX0.4μm后,擊穿電壓開始下降。當(dāng)L=0.2μm、TOX=0.4μm、NB=1015cm-3時(shí),器件的擊穿電壓達(dá)到最大的1 873 k V。與普通場(chǎng)板結(jié)構(gòu)相比,采用臺(tái)階場(chǎng)板可以更加有效地提高器件的擊穿電壓。
【作者單位】： 西安交通大學(xué)陜西省信息光電子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;陜西科技大學(xué)理學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;西安科技大學(xué)電氣與控制工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 場(chǎng)板結(jié)終端 金剛石SBD 電場(chǎng)分布 擊穿電壓
【基金】：2015年陜西省教育廳專項(xiàng)科研計(jì)劃(15JK1096)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN311.7
【正文快照】： 1引言與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si、Ge、Ga As相比,金剛石以其優(yōu)良的電學(xué)和熱學(xué)特性成為制造高溫、大功率、高頻微波及抗輻照電子器件的理想材料[1-2]。然而在平面工藝所制備的半導(dǎo)體器件中,結(jié)總是有限大小的,存在中斷界面,并且在邊角之處的結(jié)面近似于柱面或球面,而并非是理想的平面。

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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本文編號(hào)：666443