本文關(guān)鍵詞：場板結(jié)終端對金剛石SBD內(nèi)部電場分布及擊穿特性的影響

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【摘要】：建立了場板結(jié)終端對金剛石肖特基勢壘二極管(SBD)的數(shù)值模擬模型,采用Silvaco軟件中的器件仿真工具ATLAS模擬了場板長度L、絕緣層厚度TOX、襯底摻雜濃度NB、場板結(jié)構(gòu)形狀對器件內(nèi)部電場分布以及擊穿電壓的影響,并對結(jié)果進行了物理分析和解釋。結(jié)果表明:當TOX=0.4μm、NB=1015cm-3、L在0~0.2μm范圍內(nèi)時,擊穿電壓隨著L的增加而增加;L0.2μm后,擊穿電壓開始下降。當L=0.2μm、NB=1015cm-3、TOX在0.1~0.4μm范圍內(nèi)時,擊穿電壓隨著TOX的增加而增加;TOX0.4μm后,擊穿電壓開始下降。當L=0.2μm、TOX=0.4μm、NB=1015cm-3時,器件的擊穿電壓達到最大的1 873 k V。與普通場板結(jié)構(gòu)相比,采用臺階場板可以更加有效地提高器件的擊穿電壓。
【作者單位】： 西安交通大學(xué)陜西省信息光電子技術(shù)重點實驗室;陜西科技大學(xué)理學(xué)院;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室;西安科技大學(xué)電氣與控制工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 場板結(jié)終端 金剛石SBD 電場分布 擊穿電壓
【基金】：2015年陜西省教育廳專項科研計劃(15JK1096)資助項目
【分類號】：TN311.7
【正文快照】： 1引言與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si、Ge、Ga As相比,金剛石以其優(yōu)良的電學(xué)和熱學(xué)特性成為制造高溫、大功率、高頻微波及抗輻照電子器件的理想材料[1-2]。然而在平面工藝所制備的半導(dǎo)體器件中,結(jié)總是有限大小的,存在中斷界面,并且在邊角之處的結(jié)面近似于柱面或球面,而并非是理想的平面。

【相似文獻】

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本文編號：666443