本文關(guān)鍵詞：氧化鋅薄膜的缺陷發(fā)光和它作為白光光源的潛在應(yīng)用（英文）

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【摘要】：ZnO發(fā)光二極管(LEDs)在照明應(yīng)用方面有著巨大的潛力。需要解決的主要問題是光的產(chǎn)生和對輻射的控制,這個問題來自LED波長的變化和組合。發(fā)現(xiàn)缺陷發(fā)光的ZnO有著各種波長范圍,適合LED在白光產(chǎn)生方面的應(yīng)用。同時展示了在實驗和理論上可以用于ZnO系統(tǒng)的缺陷輻射。這種類型的缺陷相較于傳統(tǒng)的摻雜材料和其他材料,其優(yōu)點在于不需要廣泛和昂貴的生產(chǎn)系統(tǒng)。不僅提出了ZnO薄膜在白色平面LED光源本征缺陷發(fā)光的潛在應(yīng)用,同時也利用一些方法一個特定的中心位置和ZnO薄膜在初期發(fā)射譜帶的寬分布來控制缺陷的產(chǎn)生。根據(jù)不同的制備方法和特定的實驗條件,不同的白色,如稍白色和青白色等原本的和重要的顏色-藍光波段(455,458nm),綠光波段(517,548nm),紅光波段(613,569nm)分別被獲得。從而說明了這是一種制作白光LED更好的辦法-利用ZnO材料。在對ZnO薄膜電學(xué)性質(zhì)的調(diào)查研究中,通過薄膜表面的額電子插入和正離子的湮滅已經(jīng)證明了的觀點,隨著質(zhì)子的植入、正離子的湮沒、電子的插入和ZnO表面的電學(xué)性質(zhì)的研究,表述結(jié)果被進一步的證實。研究人員對單晶ZnO的已經(jīng)有了一定的研究,PL質(zhì)子植入ZnO以后呈現(xiàn)橘紅色,并且在700℃退火后仍然存在,清楚的可以看出PL缺陷的存在。在植入粒子方面最近的文章也有報道,例如在ZnO缺陷表層中注入離子和電子來改變PL性能。VZn也發(fā)現(xiàn)了氧化鋅薄膜的主要缺陷之一是正電子湮沒,同樣的,Vlasenko和Watkins也發(fā)現(xiàn)了氧化鋅表面由于電子輻射產(chǎn)生的缺陷。導(dǎo)致綠色透光率的減少,增加PL致600~700nm。之后分析和解釋ZnO薄膜電阻率的缺陷。由霍爾系數(shù)的跡象表明ZnO表現(xiàn)為N型傳導(dǎo),這樣做的原因是因為把VO和Zn原子聯(lián)系在一起,使Zn具有較低的電阻率。試驗中氧氣退貨可以增加ZnO的電阻率,其電阻率的增加是由于VO的減少。另外,在200℃條件下準備的樣品導(dǎo)電率很低,說明了VO的作用很大。退火氧化鋅薄膜電導(dǎo)率下降表明,看到了主要的缺陷。
【作者單位】： 吉林大學(xué)物理學(xué)院光信息科學(xué)與技術(shù)系(肇慶學(xué)院 626061)超硬材料重點實驗室;華南理工大學(xué)化學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 氧化鋅薄膜的缺陷 缺陷發(fā)光與光致發(fā)光 白光LED
【基金】：Jointly Funded Project(61179055)of Chinese Civil Aviation Authority and National Natural Science Foundation of China Grant(2012B040303007)of Science and Technology Planning Project of Guangdong Province Talent Grant(2013-ZQXY-05)of Educational Commission of Guangdong Province,China
【分類號】：TN312.8;O484
【正文快照】： film,using　its　defects.Here,we　make　schematic　diagramstoIntroductionillustrate　the　visible　and　white　defect　emission　of　ZnO　film.Photoluminescence(PL)spectral　studieswere　used　to　analyze　　Researchers　have　focused　on　new“l(fā)ow　carb

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1 洪琮瑞;林┏，

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