本文關(guān)鍵詞：氧化鋅薄膜的缺陷發(fā)光和它作為白光光源的潛在應(yīng)用（英文）

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【摘要】：ZnO發(fā)光二極管(LEDs)在照明應(yīng)用方面有著巨大的潛力。需要解決的主要問(wèn)題是光的產(chǎn)生和對(duì)輻射的控制,這個(gè)問(wèn)題來(lái)自LED波長(zhǎng)的變化和組合。發(fā)現(xiàn)缺陷發(fā)光的ZnO有著各種波長(zhǎng)范圍,適合LED在白光產(chǎn)生方面的應(yīng)用。同時(shí)展示了在實(shí)驗(yàn)和理論上可以用于ZnO系統(tǒng)的缺陷輻射。這種類型的缺陷相較于傳統(tǒng)的摻雜材料和其他材料,其優(yōu)點(diǎn)在于不需要廣泛和昂貴的生產(chǎn)系統(tǒng)。不僅提出了ZnO薄膜在白色平面LED光源本征缺陷發(fā)光的潛在應(yīng)用,同時(shí)也利用一些方法一個(gè)特定的中心位置和ZnO薄膜在初期發(fā)射譜帶的寬分布來(lái)控制缺陷的產(chǎn)生。根據(jù)不同的制備方法和特定的實(shí)驗(yàn)條件,不同的白色,如稍白色和青白色等原本的和重要的顏色-藍(lán)光波段(455,458nm),綠光波段(517,548nm),紅光波段(613,569nm)分別被獲得。從而說(shuō)明了這是一種制作白光LED更好的辦法-利用ZnO材料。在對(duì)ZnO薄膜電學(xué)性質(zhì)的調(diào)查研究中,通過(guò)薄膜表面的額電子插入和正離子的湮滅已經(jīng)證明了的觀點(diǎn),隨著質(zhì)子的植入、正離子的湮沒(méi)、電子的插入和ZnO表面的電學(xué)性質(zhì)的研究,表述結(jié)果被進(jìn)一步的證實(shí)。研究人員對(duì)單晶ZnO的已經(jīng)有了一定的研究,PL質(zhì)子植入ZnO以后呈現(xiàn)橘紅色,并且在700℃退火后仍然存在,清楚的可以看出PL缺陷的存在。在植入粒子方面最近的文章也有報(bào)道,例如在ZnO缺陷表層中注入離子和電子來(lái)改變PL性能。VZn也發(fā)現(xiàn)了氧化鋅薄膜的主要缺陷之一是正電子湮沒(méi),同樣的,Vlasenko和Watkins也發(fā)現(xiàn)了氧化鋅表面由于電子輻射產(chǎn)生的缺陷。導(dǎo)致綠色透光率的減少,增加PL致600~700nm。之后分析和解釋ZnO薄膜電阻率的缺陷。由霍爾系數(shù)的跡象表明ZnO表現(xiàn)為N型傳導(dǎo),這樣做的原因是因?yàn)榘裋O和Zn原子聯(lián)系在一起,使Zn具有較低的電阻率。試驗(yàn)中氧氣退貨可以增加ZnO的電阻率,其電阻率的增加是由于VO的減少。另外,在200℃條件下準(zhǔn)備的樣品導(dǎo)電率很低,說(shuō)明了VO的作用很大。退火氧化鋅薄膜電導(dǎo)率下降表明,看到了主要的缺陷。
【作者單位】： 吉林大學(xué)物理學(xué)院光信息科學(xué)與技術(shù)系(肇慶學(xué)院 626061)超硬材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;華南理工大學(xué)化學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 氧化鋅薄膜的缺陷 缺陷發(fā)光與光致發(fā)光 白光LED
【基金】：Jointly Funded Project(61179055)of Chinese Civil Aviation Authority and National Natural Science Foundation of China Grant(2012B040303007)of Science and Technology Planning Project of Guangdong Province Talent Grant(2013-ZQXY-05)of Educational Commission of Guangdong Province,China
【分類號(hào)】：TN312.8;O484
【正文快照】： film,using　its　defects.Here,we　make　schematic　diagramstoIntroductionillustrate　the　visible　and　white　defect　emission　of　ZnO　film.Photoluminescence(PL)spectral　studieswere　used　to　analyze　　Researchers　have　focused　on　new“l(fā)ow　carb

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1 張治國(guó);;納米氧化鋅薄膜摻雜失效的重要因素[J];科學(xué)通報(bào);2011年25期

2 宋永梁,季振國(guó),劉坤,王超,向因,葉志鎮(zhèn);熱處理參數(shù)對(duì)溶膠-凝膠法制備氧化鋅薄膜特性的影響[J];物理學(xué)報(bào);2004年02期

3 莊小玲;冷金亮;張治國(guó);;鋁摻雜氧化鋅薄膜的制備及其特性[J];泉州師范學(xué)院學(xué)報(bào);2010年02期

4 聶朦;趙艷;曾勇;蔣毅堅(jiān);;不同退火溫度下氧化鋅薄膜可見(jiàn)發(fā)光與n型導(dǎo)電研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年17期

5 王鑫博;王維;黃特;;低溫?zé)崽幚碇苽鋼戒X氧化鋅薄膜技術(shù)的研究[J];沈陽(yáng)理工大學(xué)學(xué)報(bào);2014年01期

6 林碧霞,傅竹西,廖桂紅;氧氣后處理對(duì)氧化鋅薄膜紫外發(fā)射性質(zhì)的影響[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2004年02期

7 樊曉峰;呂有明;王新;申德振;張振中;李炳輝;姚斌;張吉英;趙東旭;范希武;;富鋅條件下生長(zhǎng)氮摻雜氧化鋅薄膜的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2006年01期

8 王雙江;吳惠楨;金國(guó)芬;張瑩瑩;陳笑松;徐天寧;;氮摻雜氧化鋅薄膜的光電特性[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2008年03期

9 肖鋒偉;鄭新亮;江洪湖;李倩;姚合寶;;磁控濺射法制備氮摻雜的氧化鋅薄膜[J];西北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2009年02期

10 陳奇;李敏君;;摻氮氧化鋅薄膜的P型轉(zhuǎn)變研究[J];牡丹江師范學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2010年02期

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1 洪琮瑞;林┏，

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