本文關(guān)鍵詞：HgCdTe材料器件中的熱處理技術(shù)

  更多相關(guān)文章： HgCdTe 熱處理 位錯(cuò)密度 摻雜激活 電學(xué)性能

【摘要】：熱處理技術(shù)在整個(gè)HgCdTe材料器件工藝中有著重要地位。在一定的熱力學(xué)條件下對(duì)HgCdTe材料進(jìn)行熱處理,可通過(guò)原子的熱運(yùn)動(dòng),調(diào)整材料電學(xué)性能和摻雜原子的占位形態(tài)、降低材料缺陷密度,以達(dá)到改善HgCdTe材料器件性能的目的。從熱處理與電學(xué)性能、熱處理與缺陷密度、摻雜材料中的熱處理技術(shù)以及器件工藝中的熱處理技術(shù)等幾方面進(jìn)行了總結(jié)論述。
【作者單位】： 昆明物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： HgCdTe 熱處理 位錯(cuò)密度 摻雜激活 電學(xué)性能
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： 0引言1959年Lawson等人發(fā)現(xiàn)了Hg1-xCdxTe半導(dǎo)體材料,該發(fā)現(xiàn)對(duì)近60年紅外探測(cè)器的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響[1]。碲鎘汞材料是由具有負(fù)禁帶的Hg Te和正禁帶的Cd Te混合而成,它是具有直接帶隙的(Hg Te)1-x(Cd Te)x膺二元化合物材料,其禁帶寬度可隨組分x的變化在0~1.6 e V范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 張傳杰;楊建榮;吳俊;魏彥峰;何力;;碲鎘汞富汞熱處理技術(shù)的研究[J];激光與紅外;2006年11期

2 ;[J];;年期

，

本文編號(hào)：658048