本文關(guān)鍵詞：均勻光柵DFB激光器光電特性研究

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【摘要】：光柵結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制作直接決定了分布反饋(DFB)半導(dǎo)體激光器光電特性的優(yōu)劣。采用傳輸矩陣法模擬了不同光柵耦合因子下隨機(jī)相位對(duì)均勻光柵DFB芯片特性的影響,獲得了芯片的光電參數(shù)分布。通過分析耦合因子對(duì)芯片光電參數(shù)分布的影響,提高了DFB芯片的成品率。設(shè)計(jì)并制備了基于Al Ga In As材料體系的脊波導(dǎo)DFB激光器,最終使芯片雙峰比例僅為7.7%、成品率達(dá)到60%。對(duì)合格品在-40~105℃下的P-I特性和在-40~85℃下的光譜進(jìn)行了測(cè)試,結(jié)果表明芯片性能優(yōu)良,芯片遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角為25°和21°。芯片的小信號(hào)頻帶響應(yīng)和眼圖測(cè)試結(jié)果表明芯片完全滿足2.5 Gbit/s的應(yīng)用要求。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【關(guān)鍵詞】： 分布反饋半導(dǎo)體激光器(DFB-LD) 光柵 耦合因子 成品率 邊模抑制比(SMSR)
【分類號(hào)】：TN248.4
【正文快照】： 0引言分布反饋半導(dǎo)體激光器(distributed feedbacklaser diode,DFB-LD)由于其良好的單縱模和調(diào)制特性而成為光纖通信領(lǐng)域的理想光源。本文采用傳輸矩陣法[1]對(duì)光柵進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),得到了優(yōu)化的光柵結(jié)構(gòu),優(yōu)化了芯片的單模特性、提高了芯片成品率;采用模式擴(kuò)展結(jié)構(gòu)[2]優(yōu)化了芯片的

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本文編號(hào)：656097