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納米半導(dǎo)體禁帶寬度的尺寸、成分、形狀和壓力效應(yīng)

發(fā)布時(shí)間:2017-08-10 08:41

  本文關(guān)鍵詞:納米半導(dǎo)體禁帶寬度的尺寸、成分、形狀和壓力效應(yīng)


  更多相關(guān)文章: 納米半導(dǎo)體 尺寸效應(yīng) 成分效應(yīng) 禁帶寬度 熱力學(xué)模型


【摘要】:納米半導(dǎo)體因?yàn)槠洫?dú)特的結(jié)構(gòu)而表現(xiàn)出來許多新奇的物理和化學(xué)性質(zhì),吸引了眾多研究者的目光,用納米半導(dǎo)體設(shè)計(jì)光電器件時(shí),禁帶寬度是非常重要的性質(zhì),對(duì)器件的最終性能有至關(guān)重要的影響。在本文中建立了三個(gè)納米半導(dǎo)體禁帶寬度預(yù)測模型,它們的預(yù)測結(jié)果和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)有很好的一致性。論文的主要研究內(nèi)容如下:(1)建立了納米半導(dǎo)體合金禁帶寬度尺寸、成分效應(yīng)函數(shù)模型。根據(jù)模型,納米半導(dǎo)體合金的禁帶寬度隨尺寸的減小而增大,而且當(dāng)納米尺寸小于5 nm時(shí),禁帶寬度隨成分的變化接近線性關(guān)系。隨著尺寸的增大,在彎曲常數(shù)的作用下,禁帶寬度從近似線性函數(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷性函數(shù)。函數(shù)模型預(yù)測結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有很好的一致性,證實(shí)了模型的有效性。(2)建立了不含可調(diào)參數(shù)來研究Cd Se納米棒禁帶寬度在尺寸效應(yīng)和長度效應(yīng)下變化趨勢的函數(shù)模型。模型預(yù)測結(jié)果顯示,納米棒的尺寸和長度的減小都會(huì)使禁帶寬度增大,其中尺寸是影響禁帶寬度的主要因素,長度為次要因素。此外,當(dāng)納米棒的長度比尺寸小時(shí),尺寸效應(yīng)對(duì)禁帶寬度的影響為從納米線、納米粒子到納米棒依次加強(qiáng),長度比尺寸大時(shí)則為從納米粒子、納米棒到納米線依次加強(qiáng)。(3)建立了預(yù)測尺寸、維數(shù)、壓力共同作用下III V族納米半導(dǎo)體化合物禁帶寬度變化的函數(shù)模型。根據(jù)模型,納米顆粒和納米線中禁帶寬度在尺寸D5 nm時(shí)尺寸和維數(shù)對(duì)禁帶寬度的影響更為明顯,它們對(duì)禁帶寬度的影響直接與表面積體積比(A/V)大小相關(guān),納米顆粒、納米線和納米薄膜分別能夠用A/V=6/D,A/V=4/D和A/V=2/D來表示。壓力主要是作用在單個(gè)鍵上使納米材料增加額外的能量,由于A/V的不同,在納米顆粒、納米線和納米薄膜中納米顆粒的表面曲率最大,并有最大的表面層斷鍵數(shù)量及最強(qiáng)的結(jié)合能,所以其對(duì)壓力最不敏感,納米薄膜則與之相反。
【關(guān)鍵詞】:納米半導(dǎo)體 尺寸效應(yīng) 成分效應(yīng) 禁帶寬度 熱力學(xué)模型
【學(xué)位授予單位】:淮北師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:O471;TB383.1
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • abstract5-8
  • 第一章 緒論8-20
  • 1.1 納米材料的發(fā)展8-10
  • 1.2 納米半導(dǎo)體的特點(diǎn)與應(yīng)用10-11
  • 1.3 半導(dǎo)體的禁帶寬度11-15
  • 1.4 基本固體理論15-17
  • 1.4.1 晶體結(jié)構(gòu)15
  • 1.4.2 晶胞15
  • 1.4.3 電子結(jié)構(gòu)15
  • 1.4.4 能帶15-16
  • 1.4.5 電子躍遷16
  • 1.4.6 禁帶寬度的形式16-17
  • 1.4.7 費(fèi)伽定律和彎曲系數(shù)17
  • 1.5 論文的研究背景及研究意義17-20
  • 第二章 納米半導(dǎo)體合金禁帶寬度的尺寸、成分效應(yīng)20-26
  • 2.1 引言20
  • 2.2 模型的建立20-22
  • 2.3 結(jié)果分析22-25
  • 2.4 本章小結(jié)25-26
  • 第三章 CdSe納米棒禁帶寬度的尺寸、長度效應(yīng)26-34
  • 3.1 引言26-27
  • 3.2 模型的建立27-29
  • 3.3 結(jié)果分析29-33
  • 3.4 本章小結(jié)33-34
  • 第四章 納米半導(dǎo)體禁帶寬度的尺寸、維數(shù)、壓力效應(yīng)34-40
  • 4.1 引言34
  • 4.2 模型的建立34-35
  • 4.3 結(jié)果分析35-39
  • 4.4 本章小結(jié)39-40
  • 第五章 總結(jié)40-41
  • 參考文獻(xiàn)41-52
  • 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文52-54
  • 致謝54-55

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 彭鑫;;淺析新型納米半導(dǎo)體包覆材料的制備及其光催化性能[J];科技資訊;2014年03期

2 ;科學(xué)事件[J];國外科技動(dòng)態(tài);2006年03期

3 李紀(jì)連,李新勇,李文釗;鐵酸鋅納米半導(dǎo)體電極制備及其光電化學(xué)性質(zhì)研究[J];南昌大學(xué)學(xué)報(bào)(理科版);1997年01期

4 張忠鎖,趙偉,陳艷輝,李蘊(yùn)才,黃亞彬,杜祖亮;SnO_2納米半導(dǎo)體顆粒的微區(qū)電子輸運(yùn)特性[J];鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版);2004年04期

5 李新勇;王玉新;鞠曉東;陳永英;Quincy Teng;;量子限域納米半導(dǎo)體上低碳烷烴的光助催化氧化[J];渤海大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2006年01期

6 周志祥,張志義;納米半導(dǎo)體表面光誘導(dǎo)電子傳遞動(dòng)力學(xué)——以4oxo,

本文編號(hào):649799


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