本文關(guān)鍵詞：一種LGA封裝的LTE三模手機功率放大器

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【摘要】：采用砷化鎵BiFet工藝進(jìn)行LTE手機放大器的設(shè)計,研制了一款4mm×4mm封裝、工作在340 MHz的兩級手機功率放大器。該手機功率放大器可以工作在三種功率模式下,通過改變偏置電流以及數(shù)控衰減器,使整個功率放大器在較低的偏置電流下獲得較高的效率和較好的線性度。在10 MHz LTE QPSK信號下,功率放大器在27dBm的輸出功率下,相鄰頻道泄露比ACLR1(±10 MHz)小于-37dBc、ACLR2(±7.5 MHz)小于-37dBc、ACLR3(±12.5 MHz)小于-42dBc,以及32%的功率附加效率。
【作者單位】： 南京國博電子有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 長期演進(jìn) 手機功率放大器 砷化鎵 多模
【分類號】：TN722.75;TN929.53
【正文快照】： 引言功率放大器模塊是手機等移動設(shè)備射頻前端的重要組成部分,傳統(tǒng)的設(shè)計思路通常是在峰值功率和電池使用時間之間做權(quán)衡,隨著第四代移動通信的發(fā)展,長期演進(jìn)(LTE)信號的高峰均比給手機功放的設(shè)計提出了挑戰(zhàn)。目前,LTE手機在移動通信中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,但在專用網(wǎng)絡(luò)頻段,針對

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本文編號：649135