基于Photo-CELIV測量載流子遷移率實驗系統(tǒng)
發(fā)布時間:2017-08-07 14:00
本文關(guān)鍵詞:基于Photo-CELIV測量載流子遷移率實驗系統(tǒng)
更多相關(guān)文章: 激光技術(shù) 固體激光器 光誘導線性增壓載流子提取法 載流子遷移率
【摘要】:搭建了一套基于Photo-CELIV測量載流子遷移率的實驗系統(tǒng)。采用Nd~(3+):YAG脈沖激光器作為誘導光源,在1~20 Hz的工作頻率下,實驗系統(tǒng)可輸出波長為532 nm、脈寬為10 ns的激光脈沖,其能量在0.1~1 mJ范圍內(nèi)可調(diào),光斑直徑小于2 mm,激光器持續(xù)工作5 h后的能量不穩(wěn)定度為±8%。該研究為半導體材料載流子遷移率的測量提供了一定的參考。
【作者單位】: 長春理工大學機電工程學院;
【關(guān)鍵詞】: 激光技術(shù) 固體激光器 光誘導線性增壓載流子提取法 載流子遷移率
【基金】:國家863計劃(2012AAXXX090)
【分類號】:TN248;TN304
【正文快照】: l引言 隨著半導體材料器件開發(fā)與應用的飛速發(fā)展,人們越來越清晰地認識到,半導體材料中載流子遷移率是影響半導體器件性能的重要因素之一[15]。載流子遷移率主要是用來衡量半導體材料中載流子的傳輸能力[68],它直接反映了載流子在外部物理場作用下的動力學特征[91°]。因此,
【相似文獻】
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1 黃驍虎,阮剛;適用于寬溫度范圍和不同溝遭摻雜濃度的MOSFET反型層載流子遷移率模型[J];半導體學報;1994年03期
2 ;[J];;年期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 李盛濤;李巍巍;閔道敏;林敏;黃印;;基于TSC的空間介質(zhì)載流子遷移率測量方法[A];第三屆空間材料及其應用技術(shù)學術(shù)交流會論文集[C];2011年
2 董茂軍;陶春蘭;孫碩;李建豐;歐谷平;張福甲;;P型硅并五苯有機場效應晶體管的研制[A];第六屆中國功能材料及其應用學術(shù)會議論文集(2)[C];2007年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 湯震;基于Ⅵ的載流子遷移率測試系統(tǒng)的研制[D];汕頭大學;2011年
2 楊永梅;有機半導體材料載流子遷移率理論模擬[D];陜西師范大學;2011年
3 劉強虎;弱電導材料中載流子輸運過程的TOF實驗研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2006年
4 董靜娟;有機聚合物中載流子輸運性質(zhì)的Monte Carlo模擬[D];河北師范大學;2011年
,本文編號:634987
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