基于Photo-CELIV測(cè)量載流子遷移率實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
本文關(guān)鍵詞:基于Photo-CELIV測(cè)量載流子遷移率實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
更多相關(guān)文章: 激光技術(shù) 固體激光器 光誘導(dǎo)線性增壓載流子提取法 載流子遷移率
【摘要】:搭建了一套基于Photo-CELIV測(cè)量載流子遷移率的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。采用Nd~(3+):YAG脈沖激光器作為誘導(dǎo)光源,在1~20 Hz的工作頻率下,實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)可輸出波長(zhǎng)為532 nm、脈寬為10 ns的激光脈沖,其能量在0.1~1 mJ范圍內(nèi)可調(diào),光斑直徑小于2 mm,激光器持續(xù)工作5 h后的能量不穩(wěn)定度為±8%。該研究為半導(dǎo)體材料載流子遷移率的測(cè)量提供了一定的參考。
【作者單位】: 長(zhǎng)春理工大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 激光技術(shù) 固體激光器 光誘導(dǎo)線性增壓載流子提取法 載流子遷移率
【基金】:國(guó)家863計(jì)劃(2012AAXXX090)
【分類號(hào)】:TN248;TN304
【正文快照】: l引言 隨著半導(dǎo)體材料器件開發(fā)與應(yīng)用的飛速發(fā)展,人們?cè)絹碓角逦卣J(rèn)識(shí)到,半導(dǎo)體材料中載流子遷移率是影響半導(dǎo)體器件性能的重要因素之一[15]。載流子遷移率主要是用來衡量半導(dǎo)體材料中載流子的傳輸能力[68],它直接反映了載流子在外部物理場(chǎng)作用下的動(dòng)力學(xué)特征[91°]。因此,
【相似文獻(xiàn)】
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1 黃驍虎,阮剛;適用于寬溫度范圍和不同溝遭摻雜濃度的MOSFET反型層載流子遷移率模型[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1994年03期
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中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 李盛濤;李巍巍;閔道敏;林敏;黃印;;基于TSC的空間介質(zhì)載流子遷移率測(cè)量方法[A];第三屆空間材料及其應(yīng)用技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2011年
2 董茂軍;陶春蘭;孫碩;李建豐;歐谷平;張福甲;;P型硅并五苯有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集(2)[C];2007年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條
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4 董靜娟;有機(jī)聚合物中載流子輸運(yùn)性質(zhì)的Monte Carlo模擬[D];河北師范大學(xué);2011年
,本文編號(hào):634987
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