本文關鍵詞：AlGaInP材料LED微陣列熱學特性分析

  更多相關文章： 光學器件 熱學特性 有限元分析 發(fā)光二極管微陣列 熱沉 AlGaInP

【摘要】：發(fā)光二極管(LED)微陣列芯片在工作時積累的熱量使結溫過高,進而對LED微陣列芯片造成一系列不利影響,嚴重降低LED微陣列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性損壞。散熱問題是制約LED微陣列芯片工作性能提高的關鍵因素,是LED微陣列芯片在制備過程中亟待解決的問題之一。利用有限元分析軟件,針對AlGaInP材料LED微陣列建立了有限元模型,詳細介紹了實體模型建立、網(wǎng)格劃分以及邊界條件的施加方法。瞬態(tài)分析了在脈沖電流驅動下,單個單元和3×3單元工作時陣列的溫度場分布,以及溫度隨時間的變化規(guī)律。為了改善陣列芯片的散熱性能,設計了一種熱沉結構,模擬分析了熱沉結構對陣列溫度分布的影響。
【作者單位】： 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所應用光學國家重點實驗室;中國科學院大學;
【關鍵詞】： 光學器件 熱學特性 有限元分析 發(fā)光二極管微陣列 熱沉 AlGaInP
【基金】：國家自然科學基金(61274122) 吉林省科技發(fā)展項目(20100351,20120323) 長春市科技發(fā)展計劃項目(12ZX21)
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言發(fā)光二極管(LED)作為一種自主發(fā)光光源,具有發(fā)光效率高、響應速度快,耗能低、性能可靠穩(wěn)定等優(yōu)點[1]。LED實現(xiàn)了電能向光能的轉換,它發(fā)出的光來自于載流子在有源區(qū)的復合,LED的各層材料都會吸收一部分從有源區(qū)輻射躍遷產生的光,光在各層材料間的多次反射大大延長了其在LE

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