本文關(guān)鍵詞：AlGaInP材料LED微陣列熱學(xué)特性分析

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【摘要】：發(fā)光二極管(LED)微陣列芯片在工作時(shí)積累的熱量使結(jié)溫過(guò)高,進(jìn)而對(duì)LED微陣列芯片造成一系列不利影響,嚴(yán)重降低LED微陣列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性損壞。散熱問(wèn)題是制約LED微陣列芯片工作性能提高的關(guān)鍵因素,是LED微陣列芯片在制備過(guò)程中亟待解決的問(wèn)題之一。利用有限元分析軟件,針對(duì)AlGaInP材料LED微陣列建立了有限元模型,詳細(xì)介紹了實(shí)體模型建立、網(wǎng)格劃分以及邊界條件的施加方法。瞬態(tài)分析了在脈沖電流驅(qū)動(dòng)下,單個(gè)單元和3×3單元工作時(shí)陣列的溫度場(chǎng)分布,以及溫度隨時(shí)間的變化規(guī)律。為了改善陣列芯片的散熱性能,設(shè)計(jì)了一種熱沉結(jié)構(gòu),模擬分析了熱沉結(jié)構(gòu)對(duì)陣列溫度分布的影響。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 光學(xué)器件 熱學(xué)特性 有限元分析 發(fā)光二極管微陣列 熱沉 AlGaInP
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61274122) 吉林省科技發(fā)展項(xiàng)目(20100351,20120323) 長(zhǎng)春市科技發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(12ZX21)
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 1引言發(fā)光二極管(LED)作為一種自主發(fā)光光源,具有發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快,耗能低、性能可靠穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)[1]。LED實(shí)現(xiàn)了電能向光能的轉(zhuǎn)換,它發(fā)出的光來(lái)自于載流子在有源區(qū)的復(fù)合,LED的各層材料都會(huì)吸收一部分從有源區(qū)輻射躍遷產(chǎn)生的光,光在各層材料間的多次反射大大延長(zhǎng)了其在LE

【相似文獻(xiàn)】

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