本文關(guān)鍵詞：微盤半導(dǎo)體激光器及其工藝制備

  更多相關(guān)文章： 微盤激光器 回音壁模式 蝸線形腔 ICP刻蝕 ANSYS模擬

【摘要】：半導(dǎo)體微盤激光器具有幾何形狀簡單、體積小、低閾值、高Q值以及可集成度高等特點(diǎn),可以作為大規(guī)模光子集成電路和超大規(guī)模光通信系統(tǒng)的理想光源,并在全光網(wǎng)絡(luò)和光電子信息集成網(wǎng)絡(luò)中具有重要的應(yīng)用。在微盤腔中,回音壁模式占主導(dǎo)地位,因此保證了微盤激光器具有非常高的品質(zhì)因子。本文在分析了回音壁模式的基礎(chǔ)上,利用蝸線形變形腔,解決了傳統(tǒng)圓對稱微盤腔不能定向出光的缺點(diǎn),經(jīng)測試蝸線形微盤激光器的遠(yuǎn)場發(fā)散角最小為36°,光束質(zhì)量較好。另外,研究了微盤激光器的關(guān)鍵制備工藝,包括光刻、刻蝕、歐姆接觸以及封裝工藝等,并根據(jù)現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)條件優(yōu)化了微盤激光器激光器的制備工藝方法,采用ICP干法刻蝕與濕法刻蝕相結(jié)合的方式,制備外壁光滑、低缺陷的腔體。最后使用ANSYS15.0有限元分析軟件模擬了不同焊料封裝微盤激光器的熱分布情況,并得出In焊料為適宜焊料的結(jié)論。本文使用量子級聯(lián)材料制備InGaAs/InAlAs微盤激光器,其光功率達(dá)到7mW。
【關(guān)鍵詞】：微盤激光器 回音壁模式 蝸線形腔 ICP刻蝕 ANSYS模擬
【學(xué)位授予單位】：長春理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN248.4
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-7
• 第一章 緒論7-12
• 1.1 引言7
• 1.2 微盤激光器的結(jié)構(gòu)與優(yōu)點(diǎn)7-8
• 1.3 微盤激光器的發(fā)展8-11
• 1.4 本文主要工作11-12
• 第二章 微盤腔的基本原理與結(jié)構(gòu)12-19
• 2.1 回音壁模式分析12-15
• 2.2 蝸線形腔中的光學(xué)模式15-17
• 2.3 QCL出光原理17-19
• 第三章 微盤激光器的工藝研究及器件制備19-34
• 3.1 工藝流程概述19
• 3.2 外延片生長與檢測19-22
• 3.3 預(yù)置固體掩膜版22-23
• 3.4 光刻工藝23-27
• 3.5 刻蝕工藝27-31
• 3.6 歐姆接觸工藝31-32
• 3.7 封裝工藝32-34
• 第四章 微盤激光器的優(yōu)化與測試34-48
• 4.1 微盤激光器的熱特性優(yōu)化34-45
• 4.2 器件檢測45-48
• 第五章 結(jié)論及展望48-49
• 5.1 結(jié)論48
• 5.2 展望48-49
• 致謝49-50
• 參考文獻(xiàn)50-51

，

本文編號：611848