石墨襯底上多晶硅厚膜的生長及性質(zhì)分析
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【摘要】:以石墨片為襯底,利用磁控濺射技術(shù)生長多晶硅籽晶層,退火處理后用CVD制備多晶硅厚膜。XRD測試結(jié)果表明,在籽晶層上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,這說明外延層的擇優(yōu)取向延續(xù)了籽晶層的取向。SEM測試結(jié)果表明,石墨片上多晶硅外延層生長良好,說明石墨片作為廉價襯底之一,有望投入工業(yè)化生產(chǎn),以降低太陽能電池的制作成本。
【作者單位】: 華北電力大學新能源電力國家重點實驗室;常州英諾能源技術(shù)有限公司;
【關(guān)鍵詞】: 石墨 籽晶層 擇優(yōu)取向 退火
【基金】:北京市自然科學基金資助項目(2151004) 中央高校基本科研業(yè)務費專項資金資助項目(13ZD05)
【分類號】:TN304.12
【正文快照】: 0引言為了應對傳統(tǒng)能源短缺和環(huán)境惡化等問題,人們越來越重視可再生能源的研究和發(fā)展[1]。太陽能作為新能源的一種,以其取之不盡用之不竭且使用過程中不會污染環(huán)境為優(yōu)點,近年來得到了迅猛的發(fā)展[2]。目前,光伏的研究重點是研制出成本低廉、性能穩(wěn)定并且高效率的太陽能電池[3]
【相似文獻】
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,本文編號:591987
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