本文關(guān)鍵詞：板級(jí)DDR3的EMI抑制

  更多相關(guān)文章： 印制電路板 電磁干擾 DDR 芯片內(nèi)端接 串聯(lián)電阻

【摘要】：某DDR3輻射超標(biāo),通過(guò)串聯(lián)電阻、ODT技術(shù)等方式改善信號(hào)反射從而抑制其EMI。最終的仿真結(jié)果表明,在DDR3系統(tǒng)中,串聯(lián)電阻減小了7%的遠(yuǎn)場(chǎng)能量,25%的近場(chǎng)能量;ODT技術(shù)減小了5%的遠(yuǎn)場(chǎng)能量,40%的近場(chǎng)能量。
【作者單位】： 深圳市一博科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 印制電路板 電磁干擾 DDR 芯片內(nèi)端接 串聯(lián)電阻
【分類號(hào)】：TN40
【正文快照】： 引言在開(kāi)路的位置信號(hào)的幅值將會(huì)變?yōu)樵挤档膬杀?這DDR3(double data rate three synchronous dynamic意味著信號(hào)本身的輻射的峰值將會(huì)變成原來(lái)的兩倍。random access memory,雙倍數(shù)據(jù)率三同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取DDR3信號(hào)傳輸時(shí),驅(qū)動(dòng)阻抗通常為34Ω,接收存儲(chǔ)器)是一個(gè)典型的易引

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 王喬民,周鈞;硒薄膜太陽(yáng)電池串聯(lián)電阻[J];云南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1986年03期

2 溫志渝,張正元,徐世六,吳英,張正t，

本文編號(hào)：577878