本文關鍵詞：高深寬比的TSV制作與填充技術

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【摘要】：硅通孔技術是三維集成電路中堆疊芯片實現(xiàn)互連的一種新的技術解決方案。本文介紹了TSV的制作與填充技術,通過優(yōu)化ICP刻蝕工藝,實現(xiàn)了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深寬比大于20:1的高深寬比通孔的制作;利用LPCVD工藝在通孔內(nèi)沉積的重摻雜多晶硅作為電極引線實現(xiàn)電氣互連,并對通孔進行了電阻特性的測試,測試結果表明,通孔阻值約為25Ω,通孔互連的電學特性較好。
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學電子科學與應用物理學院安徽省MEMS工程技術研究中心;中國兵器工業(yè)集團北方通用電子集團有限公司;
【關鍵詞】： 硅通孔 ICP刻蝕 LPCVD 重摻雜多晶硅 高深寬比
【基金】：國家863計劃項目(2013AA041101)
【分類號】：TN405.97
【正文快照】： 近年來,MEMS器件正朝著高集成度、微型化、多功能、低功耗等方向發(fā)展,對傳統(tǒng)的封裝方式提出了新的挑戰(zhàn)。將不同功能的多個平面器件層進行堆疊,然后通過硅通孔技術(■Hirough Silicon Via, TSV)制作垂直互連的通孔,實現(xiàn)不同芯片間的電互連。這種3D封裝工藝的出現(xiàn),能夠大大減小

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1 龐鈞文;王s，

本文編號：576695