本文關(guān)鍵詞：小尺寸器件的金屬柵平坦化新技術(shù)

  更多相關(guān)文章： 高k金屬柵 反應(yīng)離子刻蝕 介質(zhì)再沉積 化學(xué)機(jī)械平坦化

【摘要】：隨著高k金屬柵工程在45 nm技術(shù)節(jié)點上的成功應(yīng)用,該技術(shù)已成為亞30 nm以下技術(shù)節(jié)點不可缺少的關(guān)鍵模塊化工程。同時,如何保證高k金屬柵能夠在集成過程中得到有效的平坦化,保證器件正常性能也成為了金屬后柵工藝的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文提出的的金屬柵反應(yīng)離子刻蝕+介質(zhì)再沉積+化學(xué)機(jī)械平坦化的技術(shù),能夠有效對金屬柵極進(jìn)行平坦化,且能避免金屬柵極平坦化過程中較大面積區(qū)域的"金屬過蝕"現(xiàn)象。
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所;
【關(guān)鍵詞】： 高k金屬柵 反應(yīng)離子刻蝕 介質(zhì)再沉積 化學(xué)機(jī)械平坦化
【分類號】：TN405
【正文快照】： 隨著現(xiàn)代通迅技術(shù)對集成電路(IC)要求的日益提高,IC制造技術(shù)不斷向著高集成度,高密度及高性能方向發(fā)展,這也意味著器件特征尺寸會不斷縮小。目前,超大規(guī)模集成電路的特征尺寸已經(jīng)在向22 nm以下進(jìn)軍,基本上還在遵循著摩爾定律,而基于Dennard等[1]提出的經(jīng)典等比例縮小原則,在芯

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本文編號：576277