本文關(guān)鍵詞：銅箔表面形貌對(duì)CVD法生長(zhǎng)石墨烯質(zhì)量的影響

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【摘要】：為了制備高質(zhì)量、少層數(shù)的石墨烯薄膜,分別用25%HCl、2 mol/L FeCl_3腐蝕液及電化學(xué)拋光法處理銅箔,改善其表面平整度,然后利用化學(xué)氣相沉積法在其表面生長(zhǎng)石墨烯。通過(guò)調(diào)整2 mol/L Fe Cl3腐蝕銅箔的時(shí)間和電化學(xué)拋光銅箔的參數(shù),根據(jù)SEM表征結(jié)果確定出腐蝕時(shí)間為30 s,拋光電壓為10 V,拋光時(shí)間為60 s時(shí),銅箔表面最為平整。這些方法處理銅箔后生長(zhǎng)的石墨烯經(jīng)拉曼光譜表征后得出,隨著銅箔表面逐漸平整,銅箔表面更易生長(zhǎng)出少層數(shù),高質(zhì)量的石墨烯薄膜。實(shí)驗(yàn)中還通過(guò)調(diào)整化學(xué)氣相沉積(CVD)爐中通乙烯的時(shí)間來(lái)制備石墨烯。經(jīng)SEM和拉曼光譜表征可知,延長(zhǎng)生長(zhǎng)時(shí)間,石墨烯薄膜的層數(shù)變厚,生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短則石墨烯生長(zhǎng)不連續(xù)。生長(zhǎng)時(shí)間為30 s時(shí),可生長(zhǎng)出單層高質(zhì)量的石墨烯薄膜,且石墨烯薄膜均勻致密;生長(zhǎng)時(shí)間為60 s時(shí),銅箔表面沉積一層石墨。所以生長(zhǎng)單層石墨烯,控制生長(zhǎng)時(shí)間是必要的。
【作者單位】： 上海理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;上海理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 無(wú)機(jī)非金屬材料 銅箔 石墨烯 化學(xué)氣相沉積法 質(zhì)量
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金資助項(xiàng)目51301106~~
【分類號(hào)】：TN304.055
【正文快照】： Effect of Copper Foil Surface Morphology on the Quality ofGraphene Grown by CVDSONG Ruili1LIU Ping2**ZHANG Ke2LIU Xinkuan2CHEN Xiaohong21.School of Mechanical Engineering,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093,China2.School of

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6 李f，

本文編號(hào)：563179