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射頻氮化鎵GaN技術(shù)及其應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2017-07-16 20:27

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【摘要】:現(xiàn)在,為了把氮化鎵器件推到更大的市場(chǎng)去,一些射頻氮化鎵廠商開始考慮在未來(lái)的手持設(shè)備中使用氮化鎵。對(duì)于現(xiàn)在的手機(jī)而言,氮化鎵的性能過(guò)剩,價(jià)格又太貴。但將來(lái)支持下一代通信標(biāo)準(zhǔn)(即5G)的手機(jī),使用氮化鎵是有可能的。
【作者單位】: 中北大學(xué);西北工業(yè)大學(xué);山東理工大學(xué);
【關(guān)鍵詞】氮化鎵 G 智能手機(jī)
【分類號(hào)】:TN303
【正文快照】: 1 引言 網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件,這使得市場(chǎng)對(duì)于射頻氮化鎵(Ga N)器件的需求不斷升溫。 舉個(gè)例子,現(xiàn)在的無(wú)線基站里面,已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件,在基站設(shè)備上,氮化鎵器件的使用得越來(lái)越廣泛。氮化鎵受青睞主要是因

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 車會(huì)生;氮化鎵晶體融接成功[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;2001年11期

2 許晟瑞;段煥濤;郝躍;張進(jìn)城;張金鳳;倪金玉;胡仕剛;李志明;;(1■02)r面藍(lán)寶石生長(zhǎng)的(11■0)a面氮化鎵研究[J];西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào);2009年06期

3 鄭冬冬;;2011年GaN LED市場(chǎng)有望增長(zhǎng)38%達(dá)108億美元[J];半導(dǎo)體信息;2011年04期

4 J.I.Pankove,E.R.Levin,張志舜;用掃描電子顯微鏡對(duì)氮化鎵的研究[J];國(guó)外發(fā)光與電光;1977年02期

5 ;氮化鎵研究綜述[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;1997年04期

6 韓培德,劉祥林,王曉暉,汪度,陸大成,王占國(guó);氮化鎵/藍(lán)寶石異質(zhì)結(jié)構(gòu)中極性的研究(英文)[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2001年S1期

7 袁明文;發(fā)展氮化鎵集成電路的考慮[J];微納電子技術(shù);2003年06期

8 黃萍,薛成山,李秀琴,魏琴琴;管式電爐合成氮化鎵晶粒的研究[J];微納電子技術(shù);2003年11期

9 李忠,魏芹芹,楊利,薛成山;氮化鎵薄膜的研究進(jìn)展[J];微細(xì)加工技術(shù);2003年04期

10 鄭冬冬;;氮化鎵極性控制技術(shù)[J];半導(dǎo)體信息;2003年06期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 陳隆建;田青禾;穆劍聲;;氮化鎵發(fā)光二極體之緩沖層技術(shù)的最新發(fā)展[A];海峽兩岸第十五屆照明科技與營(yíng)銷研討會(huì)專題報(bào)告暨論文集[C];2008年

2 陳振;劉祥林;王曉暉;陸大成;袁海榮;韓培德;汪度;王占國(guó);;(1102)面藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)氮化鎵研究[A];2000年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展(下)——2000年中國(guó)材料研討會(huì)論文集[C];2000年

3 徐凱宇;唐s,

本文編號(hào):550457


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