本文關(guān)鍵詞：晶硅表面亞微米結(jié)構(gòu)陣列的介電微球輔助激光-化學(xué)復(fù)合成型

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【摘要】：介紹了一種具有高工藝可控性特征的單晶硅表面亞微米結(jié)構(gòu)陣列介電微球輔助激光-化學(xué)復(fù)合成型的方法,采用這種方法可以在單晶硅表面制備具有較好周期性和均一性的三維微結(jié)構(gòu)陣列。分析并總結(jié)了微球直徑、刻蝕時間及激光脈沖能量密度對結(jié)構(gòu)成型的影響規(guī)律,根據(jù)時域有限差分模擬法和晶硅結(jié)晶及其化學(xué)刻蝕的基礎(chǔ)理論,分析研究了微結(jié)構(gòu)的成型機制,并以樣品表面反射率為例,驗證了利用不同工藝所制備出的微米結(jié)構(gòu)陣列對其表面光學(xué)性能的調(diào)控作用。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)激光工程研究院;
【關(guān)鍵詞】： 激光技術(shù) 介電微球 準分子激光 單晶硅 堿刻蝕 微結(jié)構(gòu)陣列
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51575013,51275011) 北京市教育委員會科技計劃(KZ201310005005)
【分類號】：TN249;TN304.12
【正文快照】： 1引言作為一種重要的半導(dǎo)體材料,單晶硅被廣泛應(yīng)用于微/納機電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)及太陽能電池等電子和能源領(lǐng)域。通過對單晶硅表面微納結(jié)構(gòu)的制備可以有效調(diào)控其功能性質(zhì)以滿足應(yīng)用需求[1-3]。傳統(tǒng)制備方法是濕刻法,即利用化學(xué)溶劑對其表面進行刻蝕而獲得分布和維度隨機的金字塔

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本文編號：546528